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光刻
光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
基本介紹 光刻流程 準分子技術 極紫外技術 電子束技術 -
光刻技術
積體電路製造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發...
簡述 工藝流程 曝光系統 光抗蝕劑 基本步驟 -
雷射光刻
雷射光刻是利用光學-化學反應原理等方法，將電路圖形刻印在介質表面，達到想要的圖形刻意功能的新型微細加工技術。
光刻技術 光複印和刻蝕工藝 曝光方式常用的曝光方式分類 光致抗蝕劑 技術特點 -
非接觸位移感測器
隨著精密製造業的發展，對精密測量技術的要求越來越高。位移測量技術作為幾何量精密測量的基礎，不僅需要超高測量精度，而且需要對環境和材料的廣泛適應性，並且逐...
測量技術發展歷史 測量原理 結構設計 信號數據處理 主要參數 -
光學掩模版
光學掩模版在薄膜、塑膠或玻璃基體材料上製作各種功能圖形並精確定位，以便用於光致抗蝕劑塗層選擇性曝光的一種結構。掩膜版套用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領域都...
簡介 種類 製作方法 工藝過程 -
光刻機
式曝光（Contact Printing ）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量...托盤吸附住（類似於勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；2.硬接觸...
概要 主要廠商 品牌 分類 紫外光源 -
紫外曝光機
和極紫外區域，光源有汞燈，準分子雷射器等。分類接觸式曝光接觸式曝光指掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，設備簡單...的越緊密，解析度越高，當然接觸的越緊密，掩膜和材料的損傷就越大。（1）軟...
背景 系統組成及其工作原理 性能指標 分類 -
色散共焦觸感器
測量技術發展歷史 隨著精密製造業的發展，對精密測量技術的要求越來越高。位移測量技術作為幾何量精密測量的基礎，不僅需要超高測量精度，而且需要對環境和材料的廣泛適應性，並且逐步趨於實時、無損檢測。與傳統接觸式測量方法...
測量技術發展歷史 測量原理 結構設計 信號數據處理 主要參數 -
共聚焦感測器
測量技術發展歷史 隨著精密製造業的發展，對精密測量技術的要求越來越高。位移測量技術作為幾何量精密測量的基礎，不僅需要超高測量精度，而且需要對環境和材料的廣泛適應性，並且逐步趨於實時、無損檢測。與傳統接觸式測量方法...
測量技術發展歷史 測量原理 結構設計 信號數據處理 主要參數 -
共焦感測器
的廣泛適應性，並且逐步趨於實時、無損檢測。與傳統接觸式測量方法相比，共焦...
測量原理 結構設計 測量技術發展歷史 信號數據處理 主要參數
