人物經歷
成步文,1992年入中國科學院半導體研究所工作。他多年來一直致力於矽基光電子材料和器件的研究。
主要成就
近年先後主持完成了多項重要研究課題,取得的主要成果包括:主持研製出用於矽基異質材料生長的超高真空化學汽相澱積(UHV/CVD)系統,利用該設備系統研究了矽基Ⅳ族異質材料的生長機理和生長工藝,深入研究了自組裝Ge量子點的動力學過程、形態演化規律及能帶結構和光躍遷過程,研究了Si襯底上Ge材料生長的應變弛豫機理和控制,製備出了SiGe/Si量子阱材料、自組裝Ge量子點、SiGe/Si HBT材料、SiGe/Si光電晶體材料、Si襯底上弛豫的厚Ge材料等;利用生長的材料研製出SiGe共振腔光電探測器、Ge量子點共振腔光電探測器、Si基Ge長波長光電探測器及陣列、矽基Ge發光二極體、SiGe/Si高速HBT等器件;在國內率先開展矽基GeSn材料外延和器件研究,研製的GeSn光電探測器性能處於國際領先水平。在國內外重要期刊和會議上發表論文150餘篇,獲得國家發明專利11項。將招收矽基光電子異質結構材料生長和器件研究方向的碩士生和博士生。