內容簡介
為了使相關讀者更深入了解掌握微電子工藝技術的原理，本書前部分主要介紹了積體電路製備工藝中有關的物理、化學知識，第4章至第10章是全書重點，介紹了工藝過程、工藝設備以及IC製備中的新技術、新方法。全書共分10章，主要內容涉及半導體矽材料及化合物的化學性質，高純水的製備，清洗技術，氧化、擴散、刻蝕、製版、外延、金屬化處理、電子封裝等主要工藝的原理等。 本書可作為高等院校相關專業的教材，也可作為教師和研究生的參考用書，同時也能供廣大從事微電子相關領域的工程技術人員參考。
目錄
1 矽材料及矽化合物化學性質
1.1 矽單晶的化學性質
1.2 矽化合物的化學性質
1.3 高純矽製備的化學原理
參考文獻
2 微電子技術中的高純水製備
2.1 天然水中的雜質
2.2 微電子技術工程用水
2.3 離子交換法製備純水
2.4 電滲析法製備純水的原理
2.5 反滲透法製備純水的原理
參考文獻
3 微電子技術中的化學清洗
3.1 晶片表面清洗的重要性
3.2 晶片清洗的基本理論和方法
3.3 顆粒吸附狀態分析及優先吸附模型
3.4 表面活性劑在化學清洗中的套用
3.5 矽片清洗的常用方法與技術
3.6 清洗工藝設備和安全操作
3.7 溶液清洗技術的現狀和發展方向
3.8 新型清洗技術
參考文獻
4 氧化工藝技術
4.1 二氧化矽膜在器件中的作用
4.2 二氧化矽的結構和性質
4.3 二氧化矽膜製備的化學原理
4.4 二氧化矽一矽界面的物理性質
4.5 二氧化矽玻璃中的雜質
4.6 雜質在二氧化矽中的擴散
4.7 二氧化矽膜質量的檢驗
參考文獻
5 擴散工藝技術
5.1 擴散原理與模型
5.2 常用擴散雜質的化學性質
5.3 擴散分布的測量分析
參考文獻
6 刻蝕工藝技術
6.1 濕法刻蝕
6.2 乾法刻蝕
6.3 刻蝕技術新進展
參考文獻
7 製版工藝技術
7.1 製版工藝過程
7.2 超微粒乾版製備的化學原理
7.3 鉻版製備技術
7.4 氧化鐵版製備的化學原理
參考文獻
8 外延生長技術
8.1 矽外延技術在IC發展中的作用
8.2 矽外延生長的化學原理
8.3 外延生長動力學
8.4 外延層中雜質濃度分布
8.5 矽烷熱分解法外延與選擇外延
8.6 外延層上的缺陷及檢驗
8.7 矽外延自摻雜效應及控制
8.8 矽外延片滑移線產生及消除技術
8.9 矽外延生長的工藝最佳化——反向補償法
參考文獻
9 金屬化處理技術
9.1 化學氣相沉積金屬過程
9.2 物理氣相沉積金屬過程
9.3 電極製備
參考文獻
10 電子封裝技術
10.1 封裝技術概述
10.2 陶瓷封裝
10.3 塑膠封裝
10.4 封裝的化學原理
參考文獻
