微結構因子

微結構因子 可以表示為 R越小說明膜的緻密性更好。

微結構因子 R 微晶矽薄膜中 SiHx鍵位於2000—2100cm-1的伸展模依賴於氫原子的鍵合環境，如果氫原子位於緻密的格線中，SiHx鍵的伸展模將產生位於~2000cm-1的吸收峰，如果氫原子位於空洞的內表面或者晶界，SiHx鍵的伸展模將導致位於~2100cm-1的吸收峰,因此，2100cm-1峰的吸收強度占伸展模總吸收強度的比例的大小可以看成衡量薄膜是否緻密的參數，這個參數通常被稱為微結構因子R，人們在計算微結構因子時，通常將伸展模吸收帶分解成在2000cm-1與2100cm-1附近的兩個高斯峰，假若這兩個高斯峰的積分強度分別I2000與I2100，微結構因子R。
可以表示為
R=I2100/(I2000+I2100)
R越小說明膜的緻密性更好。