人物簡介
一九八二年一月畢業於華中理工大學固體電子學系半導體物理與器件專業。八四年獲該專業工學碩士學位，並留校任教。一九九三年獲電子材料與元件專業工學博士學位，九五年十二月至九九年六月在香港大學電機電子工程系先後做資深研究員及博士後研究工作。近幾年來（2001-2008），作為訪問教授每年赴香港大學從事2-3個月的合作研究。九四年晉升為副教授，二000年二月晉升為教授，二00二年六月被評聘為博士生導師。自一九八四年以來，一直從事微電子器件、物理、工藝以及集成技術方面的教學與研究工作。目前，作為負責人主持國家自然科學基金項目兩項，完成國家自然科學基金項目三項、教育部骨幹教師基金一項、湖北省自然科學基金兩項以及國際合作項目三項。
研究方向
微納電子器件建模與模擬、MOS器件可靠性物理、積體電路設計技術、寬禁帶半導體材料與器件技術。
學術兼職
率先在國際上提出了採用N2O和NO直接熱氧化法製備SiC MOS器件柵氧化物以及採用NH3進行表面鈍化處理的先進技術，獲得了SiC/SiO2界面質量和器件可靠性的極大改進；提出並採用濕氮或濕NO退火技術製備高k柵介質Ge基MOS器件，獲得好的高k介質/Ge界面特性。有關成果在IEEE EDL、Appl Phys Lett.等重要國際期刊上發表,多次被同行專家引用。近五年來，在國際國內重要期刊雜誌上共發表學術論文80餘篇（其中國際期刊40餘篇），被SCI收錄38篇，EI收錄35篇。
國家自然科學基金，湖北省自然科學基金評審；Microelectronics Reliability、物理學報、中國物理（英文）；半導體學報審稿人。
代表論文
[1]J. P. Xu, F. Ji, P. T.LAI, J. G. Guan, Influence of sidewall spacer on threshold voltage of MOSFET with high-k gate dielectric, Microelectronics Reliability, vol 48, 2008, p 181-186. (SCI, EI收錄)..
[2]J. P. Xu, Y. P. Li, P. T. Lai*, A 2-D Threshold-Voltage Model for Small MOSFET with Quantum-Mechanical Effects, Microelectronics Reliability, vol. 48，2008，p 23 - 28 (SCI, EI收錄).
[3]J. P. Xu, F. Ji, C. X. Li, P. T.Lai, Improved electrical properties of metal-oxide-semiconductor capacitor with HfTiON gate dielectric by using HfSiON interlayer, Applied Physics Letters, vol 91, no. 15, 2007, p 152905 (SCI, EI收錄)
[4]Xu Jing-Ping, Chen Wei-Bing, Lai Pui-To, Li Yan- ping, Chan Chu-Lok, Electrical Properties and Reliability of HfO2 Gate-Dielectric MOS Capacitors with Trichloroethylene Surface Pretreatment, Chinese Physics, vol. 16, no. 2, pp: 529-532, 2007 (SCI, EI收錄).
[5]J. P. Xu, P. T. Lai, C. X. Li, X. Zou, C. L. Chan，Improved electrical properties of Germanium MOS capacitors with gate dielectric grown in wet-NO ambient，IEEE Electron Device Letters, vol. 27, no. 6, pp: 439-441, 2006 (SCI, EI收錄).
[6]J. P. Xu, P. T. Lai, et al., “Effects ofchlorineon interfacial properties and reliability of SiO2 grown on 6H-SiC”，Appl. Phys. A, vol. 81 (1): 173-176 (2005.6).
[7]J. P. Xu, P. T. Lai, B. Han, W. M. Tang, “Determination of optimal insulator thickness for MISiC hydrogen sensors,” Solid-State Electronics 48 (9): 1673–1677 (2004).
[8]J. P. Xu, P. T. Lai, D. G. Zhong and C. L. Chan, Improved Hydrogen-Sensitive Properties of MISiC Schottky Sensor with Thin NO-Grown Oxynitride as Gate Insulator，IEEE Electron Device Lett., Vol. 24(1), pp. 13-15 (2003).
[9]J. P. Xu, P. T. Lai, C. L. Chan，Steam-Induced Interface Improvement of N2O-Nitrided SiO2 Grown on 6H-SiC，Solid-State Electron., 2003，vol. 47(8), 1397-1400.
[10]J. P. Xu, P. T. Lai, and Y. C. Cheng, “1/f Noise behaviors of NO-nitrided n-MOSFETs,” Solid-State Electron., vol. 45(3), pp. 431-433, 2001. （SCI, EI收錄）
[11]J. P. Xu, P. T. Lai, C. L. Chan, and Y. C. Cheng, Improved interface properties of p-type 6H-SiC/SiO2 system by NH3 pretreatment, Appl. Phys. Lett., 2000，vol. 76(3), 372-374. （SCI收錄）
[12]J. P. Xu, P. T. Lai, C. L. Chan, B. Li, and Y. C. Cheng, Improved Performance and Reliability of N2O-Grown Oxynitride on 6H-SiC, IEEE Electron Device Lett., 2000，vol. 21(6), 298-300. （SCI, EI收錄）
[13]J. P. Xu, P. T. Lai, and Y. C. Cheng, Gate Dielectrics Prepared by Double Nitridation in NO and N2O,” Appl. Phys. A, 2000，vol. 70 (1), 101-105. （SCI, EI收錄）
[14]J. P. Xu, P. T. Lai, and Y. C. Cheng, Dynamic-Stress-Induced Enhanced Degradation of 1/f Noise in n-MOSFETs,” IEEE Trans. On Electron Devices, 2000，vol. 47 (1), 109-112. （SCI，EI收錄）
[15]J. P. Xu, P. T. Lai, and Y. C. Cheng, Energy Levels of Interface States Generated in n-MOSFET’s by Hot-Carrier Stresses, Solid-State Electron., 2000，vol. 44 (3), 527-534. （SCI，EI收錄）
