個人成就
1998年發明兩端固態自發混沌振盪器用作保密通訊。1999年至2001年發明了納米尺度的溝槽肖脫基MOS場效應電晶體。2001年至2002年提出和設計了高介電常數閃爍存儲器單元器件結構,能使閃爍存儲器單元的讀寫電壓減小到10伏, 讀寫時間減小到10微秒以下,並且能使閃爍存儲器能採用50納米以下的CMOS技術製造,讓1000G的閃爍存儲器可以大規模製造.2002年提出和設計了高介電常數閃爍存儲器單元器件結構。2004年理論和實驗證明了納米尺度的MOS場效應電晶體在積累區能自動具有單電子電晶體特性。2005年研製出我國第一支無線通訊基站用的高頻大功率RF LDMOS器件,該產品擁有自主智慧財產權。