人物簡介
中科院半導體所超晶格與微結構國家重點實驗室研究員。
人物生涯
1996年於北京師範大學獲博士學位；1996年至1998年中科院半導體所博士後；1998年至2000年比利時安特衛普大學Research Fellow；2006年香港中文大學楊振寧Fellowship。2001年獲得百人計畫資助任中科院半導體所研究員。2004年度國家自然科學二等獎獲得者之一（夏建白、李樹深、常凱、朱邦芬）。2005年度國家傑出青年基金獲得者。研究領域主要是半導體納米結構的物理性質和半導體自旋電子學。在國際核心物理學期刊上共發表論文幾十篇。
從理論上預言了自組織InAs量子點和V型量子線中非對稱的Stark效應，並被國際上著名的實驗組證實和引用。在國際上較早開展對球形層狀量子點的理論研究，並預言了可能存在II型激子。發現耦合量子阱中磁激子的基態是長壽命的暗激子，解釋了A.C.Gossard小組觀測到的反常實驗現象。
主要研究工作集中在半導體自旋電子學方面。系統細緻地研究了不同自旋注入方案的優缺點。尤其是稀磁半導體量子點注入方案可以克服強磁場的障礙，實驗結果支持我們的方案。研究了稀磁半導體二維電子氣的縱向磁阻，理論與實驗十分吻合。在此基礎上，考慮自旋－軌道耦合，發現在弱磁場下可以在弱極化體系中實現共振自旋極化。
研究興趣
1. 低維半導體結構中自旋－軌道耦合和自旋霍爾效應；
2. 自旋態的弛豫和相干控制；
3. 磁性半導體；
4. 半導體納米結構的能帶計算；
5. 介觀結構中自旋和電荷輸運。
完成/在研主要項目
國家自然科學基金面上項目："半導體納米結構的光學性質"(2000－2002)，特優；
百人計畫基金："半導體中自旋電子學" (2001－2003)。
傑出青年基金 （2006－2010）
代表性論著：
1. Spatially separated excitons in quantum-dot quantum wells, Kai Chang, J.B. Xia, Phys. Rev. B 57, 9780(1998).
2. Quantum-confined Stark effect in GaAs/Al0.4Ga0.6As V-shaped quantum wires, Kai Chang, Jian-Bai Xia Phys. Rev. B 58, 2031(1998).
3. Bright to dark exciton transition in symmetric coupled quantum wells induced by an in-plane magnetic field, Kai Chang and F. M. Peeters, Phys. Rev. B 63, 153307 (2001).
4. Oscillating magnetoresistance through diluted magnetic semiconductor barriers,Kai Chang, J.B.Xia and F.M.Peeters, Phys. Rev. B 65 115209(2002).
5. Longitudinal spin transport in diluted magnetic semiconductor superlattice,Kai Chang, Jian-Bai Xia and F.M.Peeters Phys. Rev. B 65 155211(2002).
6. Quantum-confined magneto-Stark effect in diluted magnetic semiconductor double quantum wells, Kai Chang, et al. , Appl. Phys. Lett. 80, 1788(2002).
7. Magnetic field tuning of the effective g factor in a diluted magnetic semiconductor quantum dot, Kai Chang et al., Appl. Phys. Lett. 82, 2661 (2003).
8. Nonlinear Rashba model and spin relaxation in quantum wells, W. Yang and Kai Chang, Phys. Rev. B 73, 113303 (2006)；
9. Spin states and persistent currents in mesoscopic rings: spin-orbit interactions, J. S. Sheng and Kai Chang, Phys. Rev. B 74, 235315(2006).
10. Tunable giant Faraday rotation of exciton in semiconductor quantum wells embedded in a mirocavity, J. T. Liu, and Kai Chang, Appl. Phys. Lett. 90, 061114 (2007).
11. Tuning of energy levels and optical properties of graphene quantum dots, Z. Z. Zhang, Kai Chang,Phys. Rev. B 77, 235411 (2008).
6. Intrinsic Spin Hall Effect induced by uantum phase transition in HgCdTe Quantum Wells, W. Yang, Kai Chang and S. C. Zhang,Phys. Rev. Lett. 100, 056602 (2008);
12. Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure, L. B. Zhang, F. Cheng, F. Zhai, and Kai Chang, Phys. Rev. B 83, 081402( Rapid Communication) (2011);
13. Electrically Controllable Surface Magnetism on the Surface of Topological Insulators, J. J. Zhu, D. X. Yao, S. C. Zhang, and Kai Chang, Phys. Rev. Lett. 106, 097201 (2011);
14. Valley-Dependent Brewster Angles and Goos-Hanchen Effect in Strained Graphene Z. Wu, F. Zhai, F. M. Peeters, H. Q. Xu, and Kai Chang, Phys. Rev. Lett. 106, 176802 (2011);
15. Helical Quantum States in HgTe Quantum Dots with Inverted Band Structures
Kai Chang and Wen-Kai Lou Phys. Rev. Lett. 106, 206802 (2011);
