儀器簡介
少子壽命測試儀(HS-CLT)，是一款功能強大的少子壽命測試儀，不僅適用於矽片少子壽命的測量，更適用於矽棒、矽芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規則形狀矽少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到6000μs，矽料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動態曲線監控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面複合效應等缺陷情況，是原生多晶矽料及半導體及太陽能拉晶企業不可多得少子壽命測量儀器。
儀器特點
■測試範圍廣：包括矽塊、矽棒、矽芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、矽片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■主要套用於矽棒、矽芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、矽塊、矽片的進廠、出廠檢查，生產工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監控等。
■適用於低阻矽料少子壽命的測量，電阻率測量範圍可達ρ>0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導無法檢測低阻單晶矽的問題。
■全程監控動態測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體矽陷阱效應，表面複合效應缺陷的問題。
■貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面複合效應的干擾。
■專業定製樣品架最大程度地滿足了原生多晶矽料生產企業測試多種形狀的矽材料少子壽命的要求，包括矽芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■性價比高，價格遠低於國外國外少子壽命測試儀產品，極大程度地降低了企業的測試成本。
部分技術參數
■測試材料：矽半導體材料 - 矽棒、矽芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、矽塊、矽片等，鍺半導體材料。
■少子壽命測試範圍 :1μs-6000μs
■可測低阻矽料下限： 0.1Ω.cm, 可擴展到 0.01Ω.cm
■雷射波長： 1.07μm
■雷射在單晶矽中的貫穿深度： 500μm
■工作頻率： 30MHz
■低輸出阻抗，輸出功率> 1W
■電源：～220V 50Hz 功耗<50W
