人物經歷
![孫立忠[湘潭大學教授]](/img/7/957/nBnauM3X3cDMxAjMyADMyYTM2UTM1QDN5MjM5ADMwAjMwUzLwAzL0czLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLwE2LvoDc0RHa.jpg)
孫立忠[湘潭大學教授]1999~2002 華北工學院 碩士 。
2002~2005 中國科學院上海技術物理所 博士。
2005至今 湘潭大學材料與光電物理學院 任教。
2006年破格晉升副教授、碩士生導師。2009年破格晉升教授。2010年晉升博士生導師。
現任職於湘潭大學材料與光電物理學院。2005年獲得中國科學院院長優秀 獎。近年來主要從事紅外光電子材料，稀磁半導體材料及鐵電材料的第一性原理研究工作。
主講課程
研究生: 固體理論、固體能帶理論、固體物理導論。
本科: 計算物理及其套用、近代物理基礎、固體物理與半導體物理、半導體物理學、量子力學基礎。
研究方向
1:半導體雜質缺陷物理 。
2:紅外光電子材料HgCdTe雜質缺陷對材料性能影響的第一性原理研究。
3:稀磁半導體材料磁性起源的第一性原理研究。
4:低維系統電子輸運的量子調控。
主要貢獻
1. 教育部“新世紀優秀人才支持計畫”項目, 主持（編號：NCET-10-0169）, 2011.01-2013.12。
2. 國家自然科學基金面上項目，六角層狀氮化硼光電屬性的應力調製，主持（No.10874143）2009.1-2011.12。
3. 湖南省高校創新平台開放基金項目“石墨納米帶電輸運特徵的量子調製”，主持（項目編號：10K065）2011年1月-2013年12月。
4. 教育部博士點新教師基金項目，II-VI族半導體材料中複合雜質的第一性原理研究，主持（編號：20070530008）2008.01-2010.12(結題)。
5. 湖南省教育廳優秀青年項目, 紅外光電子材料HgCdTe中As雜質與Hg空位複合雜質的耦合機理研究， 主持 (編號：06B092) 2007.1-2009.12(結題)。
6. 紅外物理國家重點實驗室開放課題 碲鎘汞材料中As摻雜與Hg空位複合摻雜效應， 主持 (編號：200501) 2005-2007（結題）。
主要論文
標記星號為通訊作者
[1]L.Z. Sun, Chen Xiaoshuang, Jijun Zhao, J.B. Wang, Y.C. Zhou, Lu Wei, Electronic properties and chemical trends of the arsenic in situ impurities in Hg1-xCdxTe: First-principles study, Phys. Rev. B 76, 045219-(1-7) (2007)。
[2]L. Z. Sun, X. S. Chen, Y. L. Sun, X. H. Zhou, Z. J. Quan, and Wei Lu，Relaxations and boning mechanism in Hg1-xCdxTe with mercury vacancy defect: First-principles study， Phys. Rev. B 73, 195206 (2006)。
[3]L. Z. Sun, X. S. Chen, Y. L. Sun, X. H. Zhou, Z. J. Quan, H. Duan, and Wei Lu，Structural and electronic properties of the in situ impurity AsHg in Hg0.5Cd0.5Te:First-principles study，Phys. Rev. B 71，193203 (2005)。
[4]C.X. Zhang, Chaoyu He, Lin Xue, K.W. Zhang, L.Z. Sun*, Jianxin Zhong, Transport properties of zigzag graphene nanoribbons with oxygen edge decoration, Organic Electronics (accepted, 2012)。
[5]Wei Zou, Zhizhou Yu, C.X. Zhang, J.X. Zhong, L.Z. Sun*, Transport properties of hybrid graphene/graphane nanoribbons, Appl. Phys. Lett. 100, 103109 ( 2012) ( has been selected for the March 26, 2012 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology)。
[6]Chaoyu He, Lizhong Sun*, Chunxiao Zhang, Xiangyang Peng, Kaiwang Zhang and Jianxin Zhong,Z-BN: a novel superhard boron nitride phase,Phys. Chem. Chem. Phys. DOI: 10.1039/C2CP41368J (2012)。
[7]Chaoyu He, L. Z. Sun*, Chunxiao Zhang, Xiangyang Peng, Kaiwang Zhang and Jianxin Zhong, Four superhard carbon allotropes: First-principles study, Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 8410-8414 (2012)。
[8]Chaoyu He, Lizhong Sun*, Chunxiao Zhang, Xiangyang Peng, Kaiwang Zhang, and Jianxin Zhong, New Superhard Carbon Phases Between Graphite and Diamond, Solid State Communications 152, 1560 (2012)。
[9]C. X. Zhang, Chaoyu He, Zhizhou Yu, K. W. Zhang, L. Z. Sun*, J. X. Zhong，Transport Properties of Zigzag Graphene Nanoribbons Decorated by Carboxyl Group Chains, J. Phys. Chem.C 115, 21893 (2011)。
[10]Zhizhou Yu, Mingliang Hu, Chunxiao Zhang, Chaoyu He, L. Z. Sun*, Jianxin Zhong, Transport Properties of Hybrid Zigzag Graphene and Boron Nitride Nanoribbons, J. Phys. Chem.C ,115, 10836(2011)。
[11]M. L. Hu，Zhizhou Yu，K. W. Zhang，L. Z. Sun*, J. X. Zhong，Tunneling magnetoresistance of bilayer hexagonal boron nitride and its linear response to external uniaxial strain，J. Phys. Chem.C 115, 8260 (2011)。
[12]Zhizhou Yu , L. Z. Sun*, C.X. Zhang , J. X. Zhong, Transport properties of corrugated graphene nanoribbons, Appl. Phys. Lett. 96, 173101(2010) ( has been selected for the May 10, 2010 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology.)。
[13]L. Xue, D. H. Tang, X. D. Qu, L. Z. Sun*, Wei Lu, J. X. Zhong, Hydrogen passivation and multiple hydrogen-Hg vacancy complex impurities (nH-VHg, n=1,2,3,4) in Hg0.75Cd0.25Te, J. Appl. Phys.110, 053704( 2011)。
[14]Zhizhou Yu, L. Z. Sun*, X. L. Wei, J. X. Zhong, Novel Transport Properties of Gold-SWCNTs Composite Contacts, J. Appl. Phys. 108 , 064318 (2010). ( has been selected for the September 27, 2010 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology)。
[15]M. L. Hu, J. L. Yin, C. X. Zhang, Zhizhou Yu, and L. Z. Sun*, Electronic structures and optical properties of hexagonal boron nitride under hydrostatic pressures. J. Appl. Phys. 109，073708,(2011)。
[16]C.X. Zhang, Chaoyu He, Zhizhou Yu, L. Xue, K. W. Zhang, L. Z. Sun*, Jianxin Zhong, Effects of oxygen-containing defect complex on the electronic structures and transport properties of single-walled carbon nanotubes, Phys.Lett.A 376, 1686 (2012)。
[17]Jie Li, M. L. Hu, Zhizhou Yu, J. X. Zhong, L.Z. Sun*, Structural, Electronic and Magnetic Properties of Single Transition-metal Adsorbed BN Sheet: A Density Functional Study, Chem. Phys. Lett.532, 40( 2012)。
[18] M.L. Hu, Zhizhou Yu, J.L. Yin, C.X. Zhang, and L. Z. Sun*, A DFT-LDA Study of Electronic and Optical Properties of Hexagonal Boron Nitride under Uniaxial Strain, Computational Materials Science 54, 165 (2012)。
[19]N Jiao, Chaoyu He, C. X. Zhang, Xiangyang Peng, K.W. Zhang, and L. Z. Sun*, Modulation effect of hydrogen and fluorine decoration on the surface work function of BN sheets, AIP Advances 2, 022125 (2012)。
[20]H.P. Xiao, Zhizhou Yu, M.L. Hu, X.Y. Peng, L. Z. Sun*, Jianxin Zhong, Zigzag graphene nanoribbons: flexible and robust transparent conductors, Solid State Sciences 14, 711( 2012)。
[21]W.Wang, L. Z. Sun*, C.Tang, X.L.Wei, J.X.Zhong，Configuration and electronic properties of graphene nanoribbons on Si (2 1 1) surface，Appl.Surf.Sci, 257， 2474 (2011)。
[22]Chaoyu He, Zhizhou Yu, L. Z. Sun*, and J.X.Zhong, Work function of hydrogenated boron nitride nanoribbons: first-principles study, J. Comp. Theo. Nanoscience 9, 16 (2012)。
[23]J.L. Yin, M.L. Hu, Zhizhou Yu, C.X. Zhang, L. Z. Sun*, J.X. Zhong, Direct or Indirect Semiconductor: the Role of Stacking Fault in h-BN, Physica B 406, 2293 (2011).。
[24]L. Z. Sun, X. S. Chen, X. H. Zhou, Y. L. Sun, and Wei Lu, First principle study on the bonding mechanism of nanoring structure Ga8As8, Eur.Phys.J.D 34, 47 (2005).。
[25]L. Z. Sun, X. L. Zhong, J. B. Wang, X. S. Chen, and Lu Wei, Relaxations and bonding mechanism of arsenic in-situ impurities in MCT: first-principles study, Trans. Nonferrous Met. Soc. China 16, 907 (2006).。
[26]L. Z. Sun, X. S. Chen, Wei Lu, and S. C. Shen, First-principle study on arsenic impurities and mercury vacancy in Hg1-xCdxTe, IEEE IRMMW-THz 2005. Vol.1, 259 (2006).。
[27]H B Shu, G C Zhou, X L Zhong, L Z Sun*, J B Wang, X S Chen, and Y C Zhou,Effects of lattice strain and ions displacement on the bonding mechanism of ferroelectric perovskite material BaTiO3: First-principles study, J. Phys.: Condens. Matter 19, 276213 (2007).。
[28] G. C. Zhou, L. Z. Sun*, X. L. Zhong, X. S. Chen, Lu Wei, J.B.Wang, First-principles study on the bonding mechanism of ZnO: Based on the LDA+U method, Phys. Lett. A 368, 112-116 (2007).。
[29] G.C.Zhou, L.Z.Sun*, J.B.Wang, X.L.Zhong, C.Zhou, Evolution of the Bonding Mechanism of ZnO Under Isotropic Compression:a First-Principles Study, Physica B 403, 2832(2008).。
[30] X.D. Qu, L.Z. Sun*, Y.P. Chen, Wei Lu, J.X. Zhong ,Binding energy of hydrogen Cd vacancy complex in CdTe, Physics Letters A 373 (2009) 791.。
[31] H.B. Shu, L.Z. Sun*, X.L. Zhong, J.B. Wang, Y.C. Zhou, Bonding mechanism and relaxation energy of SrBi2B2O9 (B=Ta; Nb):First-principles study, J. Phys. Chem. Sol. 70 (2009) 707.。
[32] J.L. Han, L.Z. Sun*, X.D. Qu, Y.P. Chen, J.X. Zhong,Electronic properties of the Au impurity in Hg0:75Cd0:25Te: First-principles study, Physica B 404 (2009) 131.。
[33] L. Ji, C. Tang, L.Z. Sun*, J.X. Zhong, Nucleation effect of Sia of 6H SiC (0 0 0 1) (√3*√3)R300 surface: First-principles study, Physica B 405 3576, (2010).。
[34]Li Jin, Sun Li-Zhong, Zhong Jian-Xin，Strain Effects on Electronic Properties of Boron Nitride Nanoribbons，Chin. Phys. Lett. Vol. 27, No. 7 (2010) 077101.。
[35] 孫立忠, 陳效雙, 周孝好, 孫沿林, 全知覺, 陸衛, 碲鎘汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究 ,物理學報 54, 298 (2005)。
[36] 孫立忠，陳效雙，郭旭光，孫沿林，周孝好，陸衛，CdTe和HgTe能帶結構的第一性原理計算，紅外與毫米波學報，23，271（2004）。
[37] 韓金良，孫立忠*，陳效雙，陸衛，鍾建新，Au在Hg1-xCdxTe材料中p型摻雜的第一性原理研究，物理學報 59, 1202 (2010)。
[38] 劉君民，孫立忠*，陳元平，張凱旺，袁輝球，鍾建新，鑭銥矽電子結構與成鍵機理的第一原理研究，物理學報 58, 7826 (2009)。
[39] 李金，桂貴，孫立忠*,鍾建新，單軸大應變下二維六角氮化硼的結構變化，物理學報 59, 8820 (2010)。
[40] 唐冬華, 薛林, 孫立忠*, 鍾建新, B在Hg0.75Cd0.25Te中摻雜效應的第一性原理研究, 物理學報 61, 027102(2012)。
[41] 專利：陸衛，孫立忠，李寧，陳貴賓，王少偉，陳效雙，李志鋒，光學讀出的氮化鎵單量子阱超音波感測器，發明專利，專利號：ZL 200310109249.8，授權公告號：CN 1264018C。
