概念
存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲暫存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。
其中存儲單元(memory location)簡稱“單元”。為存儲器中存儲一機器字或一位元組的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，並按一定順序編號，稱為“地址”。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數字，則稱為“字”。字的長度，即字所包含的位數，稱為“字長”。如以位元組來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內容一經寫入，雖經反覆使用，仍保持不變。如須寫入新內容，則原內容被“衝掉”，而變成新寫入的內容。
存儲器（storage）又稱“記憶裝置”。能按一定地址隨機存取計算程式、原始數據、中間和最後結果的裝置。存儲器須保存大量表示數據或程式的二進制代碼，故“按地址”存取的組織方式，將其分成眾多單元(稱“存儲單元”)，並按一定順序編號(稱“地址”)，以便按地址根據指令的要求存取。常以存儲容量和存取周期作為衡量性能的主要指標。
意義
為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短，運算速度愈快，但對存儲元件及工藝的要求也愈高。
例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那么半導體存儲器的性能一般比磁芯存儲器的性能要好。
