簡單介紹
場發射掃描電子顯微鏡主要用途：該儀器具有超高解析度，能做各種固態樣品表面形貌的二次電子象、反射電子象觀察及圖象處理。 具有高性能x射線能譜儀，能同時進行樣品表層的微區點線面元素的定性、半定量及定量分析，具有形貌、化學組分綜合分析能力。
儀器類別：03040702 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器
指標信息：二次電子象解析度：1.5nm 加速電壓：0～30kV 放大倍數：10-50萬倍連續可調工作距離：5～35mm連續可調傾斜：-5°～45° x射線能譜儀： 解析度：133eV 分析範圍：B-U
附屬檔案信息：鍍金鍍炭儀 ISIS圖象處理系統背散射探頭
場發射掃描電鏡，由於解析度高，為納米材料的研究提供了可靠的實驗手段。另外，對半導體材料和絕緣體，都能得到滿意的圖像，對超導薄膜，磁性材料，分子束外延生長的薄膜材料，半導體材料進行了形貌觀察，並對多種材料進行了微區成份分析，均能得到滿意的結果
技術參數
1、解析度 2、放大倍數 3、加速電壓 4、低壓範圍 5、探針電流 6、樣品室 7、樣品台 8、傾斜角
套用範圍
場發射掃描電子顯微鏡，廣泛用於生物學、醫學、金屬材料、高分子材料、化工原料、地質礦物、商品檢驗、產品生產質量控制、寶石鑑定、考古和文物鑑定及公安刑偵物證分析。可以觀察和檢測非均相有機材料、無機材料及在上述微米、納米級樣品的表面特徵。該儀器的最大特點是具備超高分辨掃描圖像觀察能力，尤其是採用最新數位化圖像處理技術，提供高倍數、高分辨掃描圖像，並能即時列印或存檔輸出，是納米材料粒徑測試和形貌觀察最有效儀器。也是研究材料結構與性能關係所不可缺少的重要工具。
指標信息
掃描電鏡二次電子圖像（SEI） 解析度1.5nm
背散射電子圖像（BEI) 解析度3.0nm
X射線能譜儀（EDS） 解析度128ev 分析範圍B5～U92
電子背散射衍射（EBSP）空間解析度 0.5μm 採集時間 20ms～2s/每菊池圖
數字圖像採集系統 解析度512×384pixe1 1024×768
附屬檔案信息
熱場發射掃描電鏡1.二次電子探測器（SE） 2.背散射電子探測器(BE)3.X射線能譜儀(EDS)4.電子背散射衍射(EBSD) 5.真空鍍膜機Je01 JEE-4X 6.離子濺射儀Je01 JFC-11007.數字圖像印表機Sony U-8908.超音波清洗儀KQ-200DF 9.電子乾燥器 10.烘乾箱200℃ 11.雷射印表機 LEXMARKoptras1250 12.雷射印表機EPL-5800L
