同質PN結：兩邊採用相同半導體材料的PN結稱為同質PN結。
特點：
（1）同質PN結兩邊具有相同的帶隙結構和相同的光學性能。
（2）PN結區完全由載流子的擴散形成。
同質PN結半導體雷射器
P-N結區較大，且電子或空穴向結區外擴散嚴重，使形成粒子數反轉較難，要求泵浦電流較大，且只能以脈衝方式工作。
是早期的半導體雷射器，目前已不採用此類結構。
圖 單異質結雷射器能帶結構示意圖
以N－n同型單異質結雷射器能帶為例，當兩種半導體材料緊密接觸時形成異質結時，由於禁頻寬度大的N型半導體的費米能級比禁頻寬度小的高，所以電子將從前者向後者流動。結果在禁頻寬度小的N型半導體一邊形成了電子的積累層，而另外—邊形成了耗盡層。由此形成了值為LE，的勢壘層。在一定電流注入下，有源層積累的非平衡載流子濃度將增加。單異質結雷射器的閾值電流密度比同質結低一個數量級，並實現了在室溫下斷續工作，因而得到了一些實際套用。
