半導體異質結構

半導體異質結構是一種半導體結構，由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成，這些材料具有不同的能帶隙，它們可以是砷化鎵之類的化合物，也可以是矽-鍺之類的半導體合金。
半導體異質結構的二極體特性非常接近理想二極體。另外，通過調節半導體各材料層的厚度和能帶隙，可以改變二極體電流與電壓的回響參數。半導體異質結構對半導體技術具有重大影響，是高頻電晶體和光電子器件的關鍵成分。