圖書信息
出版社: 科學出版社; 第1版 (2010年3月1日)
外文書名: Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures
叢書名: 納米科學進展系列
精裝: 486頁
正文語種: 英語
開本: 16
ISBN: 7030269691, 9787030269690
條形碼: 9787030269690
尺寸: 24 x 17.2 x 2.8 cm
重量: 921 g
內容簡介
《半導體異質結構與納米結構表征(導讀版)》主要討論了用於確定半導體量子阱和超晶格結構性質(結構、物理，化學、電氣等)的專門表征技術。此外，介紹了採用第一原理進行的模擬、建模方法，以及異質結構的電學與光學特性。
《半導體異質結構與納米結構表征(導讀版)》結構基於雙重目標：以物理、化學，材料科學、工程學和納米技術領域的本科生與研究生能夠理解的程度，提供每一個被挑選的專門技術的基本概念；從最新的文獻中挑選採用這些專門技術得到的最佳結果作為例子，這些技術用來理解半導體異質結構的性質。這些章節綜合了基本概念的講解和最有關聯的創新例子的討論。此外，有關量子阱、量子線和量子點的內容可以看作是將先進表征技術套用到亞納米尺度下材料的結構與電學性質的實例。
在學術界與工業實驗室內從事異質結構器件設計，生長，表征與測試的研究人員，也可以用作更為廣泛的納米技術領域的參考書。
目錄
9第1章 導論：納米技術的多學科性質與探索前沿表征技術的必要性
第2章 結構性質與電子性質的第一原理(從頭算起)模擬研究
第3章 納米結構的電學性質表征
第4章 採用高解析度x射線衍射技術(XRD)的半導體異質結構的應變與組分確定
第5章 透射電子顯微鏡(TEM)技術用於成像與半導體異質結構的組分確定
第6章 通過光致發光技術(PL)以了解半導體納米結構的結構性質與電子性質
第7章 Ⅲ族元素氮化物(Ⅲ-nitride)的異質結構中的與功率大小有關的陰極發光：從內部場禁止到可控能帶帶隙調製
第8章 拉曼譜技術
第9章 用於半導體異質結構與納米結構研究的X射線吸收精細結構(XAPS)方法
第10章 受同步輻射光照的納米結構：對表面敏感的X射線技術及異常散射
第11章 用於研究納米結構的結構性質的掠入射衍射異常精細結構(GIDAPS)方法
第12章 光發射譜在異質結研究中的作用
第13章 半導體異質結構界面與界面層的電子自鏇諧振(ESR)譜分析方法
名稱索引
