相關詞條
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矽基肖特基二極體
與 N 型矽形成肖特基接觸，且勢壘高度隨著工藝變化而變化，其變化範圍在...的勢壘高度，而 NiPt/Si 形成 0.78eV 左右的勢壘高度。結合已有...勢壘高度分別為 0.64eV 和 0.78eV；保護環 P區的摻雜濃度...
1概述 2 矽基肖特基勢壘二極體結構 3 矽基肖特基勢壘二極體特性 -
勢壘
；隨著半導體摻雜濃度的降低和溫度的提高，勢壘高度也將降低；在溫度高至本徵激發起作用時，勢壘高度即變為0。PN結勢壘的厚度也與摻雜濃度和溫度有關。在摻雜濃度一定時，勢壘厚度與勢壘高度成正比；隨著溫度的提高，勢壘高度降低...
基本概念 勢壘的分類 勢壘貫穿 -
pn結勢壘
，勢壘高度也將降低；在溫度高至本徵激發起作用時，勢壘高度即變為0。pn結勢壘的厚度也與摻雜濃度和溫度有關。在摻雜濃度一定時，勢壘厚度與勢壘高度成正比；隨著溫度的提高，勢壘高度降低，則勢壘厚度也減薄。但隨著半導體摻雜...
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碳化矽肖特基二極體
、鈷等，都可以與碳化矽形成肖特基勢壘高度 1 eV 以上的肖特基接觸。據報導，Au/4H-SiC 接觸的勢壘高度可達到 1.73 eV，Ti...-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，最低只有 0.5 eV...
1碳化矽 2碳化矽肖特基二極體 -
光伏效應
的費米能級，勢壘高度為qUD=EFN-EFP。b)穩定光照下P-N結...，勢壘高度為q(UD-Uoc)。c)穩定光照下P-N結外電路短路，P-N結兩端無光生電壓，勢壘高度為qUD，光生電子空穴對被內建電場分離後流入外電路形成...
基本概況 光伏效應 發電方式 電流方程 能帶 -
肖特基二極體
與器件的肖特基勢壘高度密切相關，而肖特基勢壘高度是金屬與半導體材料的功函式差，但是實際的肖特基結的勢壘高度應該考慮多方面的因素，主要有：（1）金屬與半導體材料的理論功函式差值；（2）表面態密度對於肖特基勢壘高度的影響...
發展過程 結構 平面肖特基勢壘二極體 等效電路 伏安特性 -
太陽能電池光伏效應
有線性關係。a)無光照時熱平衡態，NP型半導體有統一的費米能級，勢壘高度為...積累而出現光生電壓Uoc不再有統一費米能級，勢壘高度為q(UD-Uoc)。c)穩定光照下P-N結外電路短路，P-N結兩端無光生電壓，勢壘高度為...
定義 套用 太陽能電池原理 光伏發電的工作原理 電流方程/光伏效應編輯 -
李書平[廈門大學物理系教授]
-2007.05）主持校級自選課題項目：Schottky勢壘高度的理論...⑼，2925-2930（2004）金屬-半導體接觸勢壘高度的理論計算，固體電子學...）Schottky勢壘高度理論計算中的平均鍵能方法，物理學報，52⑶，542...
簡介 研究方向 主要科研項目 發表論文 授權專利 -
李書平[廈門大學副教授]
：Schottky勢壘高度的理論計算研究（2002.9-2004.7）。半導體...）。金屬-半導體接觸勢壘高度的理論計算，固體電子學研究與進展，23⑷，412...（自然科學版），42⑵，189-192（2003）。Schottky勢壘高度...
人物經歷 研究方向 主要貢獻 獲獎記錄 -
金屬互連工藝
對準技術是個限制。⑤鋁-矽肖特基勢壘高度不穩定,在雙極型高速電路工藝中...電阻大和熱處理後勢壘高度變化等缺點。 金屬互連工藝 因為鋁的上述缺點，以及由於控制肖特基勢壘二極體勢壘高度和適應MOS電晶體閾值電壓的需要...
