光刻工藝技術

光刻加工技術是指加工製作半導體結構及積體電路微圖形結構的關鍵工藝技術，是微細製造領域套用較早並仍被廣泛採用的一類微製造技術。光刻加工原理與印刷技術中的照相製版類似，在矽(Si) 半導體基體材料上塗覆光致抗蝕劑，然後利用紫外光束等通過掩膜對光致抗蝕劑層進行曝光，經顯影后在抗蝕劑層獲得與掩膜圖形相同的極微細的幾何圖形，再經刻蝕等方法，便在Si 基材上製造出微型結構。

光刻加工技術工藝過程為

1) 氧化。使Si 晶片表面形成一層SiO2 氧化層。

2) 塗膠。在SiO2 氧化層表面塗覆一層光致抗蝕劑，厚度為1~5pm。

3) 曝光。將掩膜置於抗蝕劑層面上，然後用紫外線等方法對抗蝕劑曝光。

4) 顯影。通過顯影液溶解去除經曝光的抗蝕劑，顯現加工圖形。

5) 刻蝕。利用化學或物理方法，將沒有光致抗蝕劑部分的SiO,腐蝕掉，稱之為刻蝕。

6) 去膠。刻蝕結束後，光致抗蝕劑完成了它應有的作用，此時設法將之去除。

7) 擴散。根據需要，可進一步向需要雜質的部分擴散雜質，以增強微構件性能。