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光刻
光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
基本介紹 光刻流程 準分子技術 極紫外技術 電子束技術 -
光刻技術
積體電路製造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上,形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發...
簡述 工藝流程 曝光系統 光抗蝕劑 基本步驟 -
雷射光刻
雷射光刻是利用光學-化學反應原理等方法,將電路圖形刻印在介質表面,達到想要的圖形刻意功能的新型微細加工技術。
光刻技術 光複印和刻蝕工藝 曝光方式常用的曝光方式分類 光致抗蝕劑 技術特點 -
光刻工藝技術
光刻加工技術是指加工製作半導體結構及積體電路微圖形結構的關鍵工藝技術,是微細製造領域套用較早並仍被廣泛採用的一類微製造技術。光刻加工原理與印刷技術中的照...
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氣相光刻
氣相光刻是一項新發現的光刻工藝。它在曝光後不經顯影直接送入反應器內用氣相氟化氫進行腐蝕而得到正性光刻圖形。與常規光刻工藝相比, 該工藝由於省去了顯影環節...
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激光刻章機
雷射刻章機(俗稱 刻章機 電腦刻章機 刻章機器 雷射印章雕刻機)是融入最新光、機、電一體化技術和設計方案的高科技產品。該產品外觀、性能、精度均達到完美組...
特點簡介 主要部件 光路調節 製作軟體 規則 -
半導體光刻技術
半導體光刻技術發展已有多半個世紀了,現在它仍保持著強勁的發展態勢,大尺寸、細線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產,對半導體設備帶來前所未有的挑戰。
矽片直徑300mm 要適合多代技術的需求 光學曝光 當前曝光的主流技術 -
光刻正膠
正性光刻膠,樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的黏附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中;感光劑是光敏化合...
光刻膠 PMMA光刻正膠 工藝參數 光刻正膠比較 -
激光刻膜機
作為科技部專項資金的承擔項目,公司最近推出的第五代非晶矽薄膜太陽能電池刻膜機已通過國家驗收,“G5”無論是技術指標還是產能效率都達到世界一流水平。
簡介 設備性能 套用領域 主要技術參數