俞躍輝

俞躍輝，男，出生於1964年，上海人，1985年畢業於吉林大學電子工程系， 1989年於中科院上海微系統與信息技術研究所半導體物理與器件物理專業研究生畢業、獲得博士學位。1989年11月參加工作，1996年晉升為研究員。長期從事離子注入合成SOI的結構表征、材料質量的改善、巨觀性能與微觀結構的關係研究及SOI器件工藝的研究。

基本信息

• 中文名：俞躍輝
• 出生日期：1964年
• 性別：男
• 出生地：上海
• 國籍：中國

人物簡介

1989年－1993年為中科院上海微系統所助理研究員。其中，1990年至1992年為德國FHG積體電路研究所博士後，從事高能離子注入技術在深亞微米半導體工藝中套用基礎研究。1993年－2002年曆任中科院上海微系統所副研究員、研究員、研究室副主任。（其中：1996年－1997年赴香港訪問學者）。2002年－2005年任上海新傲公司副經理，研究員。作為SOI材料研發團隊的負責人之一，共同創建了上海新傲公司 - 我國新一代矽基積體電路材料SOI生產基地。實現了SOI技術的重大突破和SOI材料的產業化並解決了我國SOI“有無”的問題。2005年獲得上海市科技進步一等獎（第三完成人），2006年獲得國家科技進步一等獎（第五完成人）。2006年起任上海微系統所人才教育處處長，研究員。 2009年3月起任上海微系統所所長助理兼人才教育處長,研究員。