內容簡介
《低維半導體複合結構的光學性質(低維半導體物理和超快光譜技術研究參考必備手冊)》介紹了Ⅱ-Ⅵ族低維半導體複合結構中的載流子動力學過程及其光學性質,並對Ⅱ-Ⅵ族低維量子體系中材料的表征、穩態和瞬態光譜測量
技術、物理特性和套用方面進行較為系統地介紹。主要內容包括低維半導體的基本性質,低維結構中的光學測量方法,znTe基複合量子阱中的載流子行為和znse基量子阱/量子點複合結構中的激子行為。《低維半導體複合結構的光學性質(低維半導體物理和超快光譜技術研究參考必備手冊)》可供從事低維半導體物理和超快光譜技術研究的科技人員和相關領域的師生參考。
作者簡介
金華,女,1978年11月3日出生,籍貫吉林省長春市。1996—2000年在吉林大學電子工程系電子材料與器件專業攻讀學士學位。2000—2005年在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所凝聚態物理專業攻讀博士學位,指導教師為申德振研究員。讀博期間參與的課題和取得的成果如下: 作為主要成員參加了“十一·五”國家科技支撐計畫,公安部套用創新計畫,中科院知識創新項目。同時還參加了863計畫項目,國家自然科學基金和中科院百人計畫的研究工作。
圖書目錄
第一章 緒論
第二章 低維半導體的基本性質及發展概況
第三章 低維結構中的光學測量方法
第四章 ZnTe基和znSe基低維複合結構中的載流子動力學過程
第五章 ZnCdSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子點複合結構中的激子複合
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