讀音
拼音:eryanghuandi
英文名稱：tellurium dioxide
中文名稱:二氧化碲
中文同義詞:亞碲酐;氧化碲(IV);二氧化銻;二氧化啼;二氧化碲,PURATRONIC|R,99.9995%(METALSBASIS);二氧化碲,99.995%(METALSBASIS);二氧化碲,99.99%(METALSBASIS);二氧化碲,TECH.
英文名稱:Telluriumdioxide
英文同義詞:TELLURIUM(IV)OXIDE;TELLURIUMOXIDE;TELLERIUMOXIDE;TELLURIUM(+4)OXIDE;Telluriumoxide(TeO2);telluriumoxide(teo2);Tellurousacidanhydride;TeO2
物理性質
熔點（°C） 733相對密度（水=1） 5.66（四角）
相對密度（水=1） 5.91（斜晶）
密度 5.49～6.02g/cm3
熔點 733°C
沸點 1260°C
升華 450°C
聲光優值Me 793×10-18S3/g
聲速Vs[110] 0.617×105cm/s白色結晶體。四方晶結構、加熱顯黃色，熔融呈暗黃紅，微溶於水，可溶於強酸和強鹼，並形成復鹽。
化學性質
CAS號 7446-07-3CAS號 11099-09-5
EINECS號 231-193-1
分子式 TeO2
分子量 159.6
禁配物：強氧化劑、強酸。
為性能優良的聲光晶體。
受高熱分解,放出有毒的蒸氣。有害燃燒產物是氧化碲。
套用與用途
主要用作聲光偏轉元件。用於防腐、鑑定疫苗中細菌等。
製備II-VI族化合物半導體、熱、電轉換元件、致冷元件、壓電晶體和紅外探測器等。
用作防腐劑，還用於菌苗中的細菌檢驗。還用於菌苗中的細菌檢驗製備亞碲酸鹽。發射光譜分析。電子元件材料。防腐劑。
製備方法
1、由碲在空氣中燃燒或被熱硝酸氧化而成。2、由正確酸熱分解製取。
3、提拉法。
4、二氧化碲單晶體的生長技術：一種屬於晶體生長技術的二氧化碲(TeO2)單晶體生長.其特徵在於用坩堝下降法可生長多種切向和形狀的單晶體.利用本技術可沿[100][001][110]方向並可沿其中任一方向生長方棒、橢圓形、菱形、板狀及圓柱形晶體.所生長晶體可達(70-80)mm×(20-30)mm×100mm.該方法與一般提拉法比具有設備簡單,不受提拉方向和切形限制,基本無污染等優點,而且晶體利用率可相應提高30-100%。
說明
TeO2 白色結晶粉末。無臭。四角晶體相對密度5.66（0℃）。斜方晶體相對密度5.91(0℃）。熔點733℃。極難溶於水，不溶於氨水，溶於強酸和強鹼。供防腐和測定疫苗中細菌等用。由碲在空氣中燃燒或被熱硝酸氧化而成。
