此前,生產可承受30V高壓的模擬IC晶片,需要採用設計規格為1μm~3μm的Bipolar-CMOS技術。而採用此次的iCMOS工藝技術,與此前相比可減少耗電、減小晶片面積,還可實現高速運行等。因為具有以上優良性
能,ADI計畫在面向產業設備和醫療設備的模擬IC生產領域,全面推進由此前的Bipolar-CMOS技術向iCMOS工藝技術的過渡。還同時宣布採用該技術生產15種產品
該公司在發表iCMOS工藝技術的同時,還宣布將採用該技術生產15種模擬IC產品。包括運算放大器、A-D轉換器、D-A轉換器、 轉換器和 多路復用器等(本文最後的部分有介紹)。每款產品都在±5V或±15V等高電壓下運行。
因為iCMOS工藝技術為0.6μm的微細設計規格,所以不僅可減小晶片面積、對外圍電路進行集成,截止頻率fT也高達1GHz。比如說,採用iCMOS技術製造的A-D轉換器與同類產品相比,耗電量可減少25%~40%,成形速度也可達此前的5倍左右。
目前,半導體業界的技術開發出現了面向數字家電一邊倒的有趣現象。不過,ADI表示:“我們一貫重視面向產業設備的耐高壓模擬IC的技術開發,今後仍將繼續努力”(該公司PrecisionConverters生產線主任MikeBritchfield)。ADI還計畫根據市場需求,將iCMOS工藝技術套用到面向特定用途的半導體產品(ASSP:ApplicationSpecificStandard Product)的生產中。不過,目前還沒有接受採用iCMOS工藝技術的定製IC的訂貨計畫。
採用iCMOS工藝技術的新產品(部分)如下:D-A轉換器IC“AD5764”――輸入數位訊號的分解能力為16位,輸出信號的電壓範圍為±10V。A-D轉換器IC“AD7328”――輸入信號的分解能力為12位,量子化分解能力為12位。運算放大器“AD8661”――最大可增壓至16V(±8V)運行。轉換器和多路復用器“ADG12xx”――每個磁軌容量為2pF,最大導通電阻僅為5Ω。
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