drmos

三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。 DrMOS的特點，它能夠在主機板高負荷運作時，比其他廠牌同級主機板有更高的用電效率，減少能源浪費，進而達到省電的效果；而在超頻效果上，透過DrMOS的超低電 此外，系統在高負荷運作時，DrMOS晶片的發熱量低，減少了熱能產生，自然也降低了風扇噪音，增加系統穩定性。

基本信息

• 名稱：drmos

DrMOS

微星科技（MSI） 的DrMos技術屬於Intel在04年推出的伺服器主機板節能技術，是將傳統MOSFET供電中分離的兩組MOS管和驅動IC以更加先進的製程整合在一片晶片中，它的加入能夠讓伺服器在工作時更穩定，更節能。三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。套用DrMOS的主機板能擁有節能、高效能超頻、低溫等特色。
DrMOS的特點，它能夠在主機板高負荷運作時，比其他廠牌同級主機板有更高的用電效率，減少能源浪費，進而達到省電的效果；而在超頻效果上，透過DrMOS的超低電 源反應時間和低阻抗特性，可以輕鬆應付狂熱玩家對高端主機板更嚴苛的超頻工作，大幅提升整體效能。
此外，系統在高負荷運作時，DrMOS晶片的發熱量低，減少了熱能產生，自然也降低了風扇噪音，增加系統穩定性。經測試，同樣條件下，傳統供電部分的MOSFET溫度可達121攝氏度，而DrMOS最大溫度為68.9攝氏度，DrMOS溫度要比傳統供電部分的MOSFET溫度約低一半，無疑會給用戶帶來超穩定的工作效率，對超頻用戶來說更是如虎添翼。