cmc[銅鉬銅封裝材料]

銅鉬銅（Cu/Mo/Cu）封裝材料是一種三明治結構的平板複合材料，它採用純鉬做芯材，雙面再覆以純銅或者彌散強化銅。

這種材料的熱膨脹係數可調，熱導率高，耐高溫性能優異，在電子封裝中得到了廣泛的運用。銅鉬銅材料屬於金屬基平面層狀複合型電子封裝材料，這類電子封裝複合材料的結構是層疊式，一般分為三層，中間層為低膨脹材料層，兩邊為高導電導熱的材料層，當然，也有兩層，或者四層複合層板。生產工藝一般採用軋制複合，電鍍複合，爆炸成形等方法加工製備的，這類材料在平面方向有很好的熱導率和較低的膨脹係數，並且基本上不存在緻密問題，此外，這種材料加工成本比較低，例如可以成卷的連續軋制複合生產Cu/Invar/Cu複合板材，能夠大大降低生產成本，還可加工成70um箔材，可以廣泛的套用於PCB的芯層和引線框架材料。由於CMC理論熱導率高、膨脹係數與Si相匹配，早在上世紀90年代，國內外專家學者就對其進行了深入研究，美國的AMAX公司和Climax Specialty Metals公司利用熱軋複合的方法，生產出來Cu/Mo/Cu（CMC）複合材料，並申請了專利，已用在B2隱形轟炸機的電子設備上.CMC的結構與CIC一樣都是三層複合結構，但硬度、抗拉強度、熱導率和電導率卻比CIC高的多，這是因為CMC的中間是鉬板，而鉬的強度、導電、和導熱性都要高於Inar合金。

美國Polymetallurgical、Polese、Elcon等公司採用線上連續軋制複合的技術可生產多種尺寸、局部或全包復的電子封裝材料，與Mo/Cu、W/Cu等粉末冶金方法生產的顆粒增強型電子封裝材料相比，軋制複合方法生產平面複合型電子封裝材料的效率高，生產成本低，並且可以生產大尺寸的封裝材料，因此平面複合型電子封裝材料非常有利於電子行業的生產，容易產生“規模效益”。Ploymetallurgical公司在包復型材料的生產上是行業內的引導者，公司的產品非常全面，可以生產Ag/Cu、Ni/Cu、Au/Ni、CIC和CMC等局部或全面複合型封裝材料，尺寸控制精確，其中CMC的性能在國際上處於一流水平。國內也有楊揚和李正華等人試驗了爆炸複合方法製備CMC電子封裝材料的可行性，對爆炸複合CMC封裝材料界面的結合機制進行了詳細的研究。研究發現Cu/Mo/Cu爆炸複合材料有波形結合界面和平直結合界面。波形界面上存在熔區，熔區內為Cu與Mo的非晶態混合組織，其組成為Cu約占90%，Mo約占10%，熔區內的顯微硬度為1220MPa高於Cu基體的顯微硬度（80MPa）低於Mo基體的顯微硬度（2100MPa）。結果表明，用爆炸複合方法一次性製備Cu/Mo/Cu複合材料是可行的，恰當的工藝參數可製得無顯微裂紋的複合材料，但是爆炸複合的製備方法較為複雜，且成本較高，不適合規模化生產。國內還有江蘇鼎啟科技有限公司 正在研發的高熱導鉚合型銅鉬銅材料項目，已經取得了可喜的進展。

Cu/Mo/Cu電子封裝材料具有優良的導熱性能和可調節的熱膨脹係數，目前是國內外大功率電子元器件首選的電子封裝材料，並能與Be0、Al203陶瓷匹配，廣泛用於微波、通訊、射頻、航空航天、電力電子、大功率半導體雷射器、醫療等行業。例如，現在國際上流行的BGA封裝就大量採用該材料作為基板。另外，在微波封裝和射頻封裝領域，也大量採用該材料做熱沉。在軍用電子設備中，它常常被採用為高可靠線路板的基體材料。

CMC也是我國諸多高技術領域所必需的關鍵性配套材料，是我國高端電子產品開發與生產的基礎，例如，現代的微波通信發射裝置、電力電子器件、高性能積體電路、網路通信器件等產品，都需要這種性能優良的封裝材料。