UTC2N60L2A,600VN通道、功率MOSFET概述UTC2N60L是一個高電壓MOSFET和旨在有更好的特性,如快速開關時間,低門費,低通態電阻,並具有較高的堅固雪崩特點。這通常用於高速功率MOSFET在電源開關套用,PWM馬達控制,高高效的直流到直流轉換器和橋電路。特點*RDS(on)=5Ω@ VGS= 10V*超低柵極電荷(典型9.0nC)*低反向傳輸電容(CRSS=典型的5.0pF的)*快速切換功能*雪崩能量指定*改進的dv / dt能力,高耐用性參數