PLD
20世紀50年代，義大利出現一位傑出的貴族女性——路易·瑪麗(Louis Maria)。
她的家族世襲經營著義大利著名皮件作坊，所產皮具專供歐洲皇家和貴族階層使用。從小在作坊長大的她，有著一種對皮具與眾不同的閱讀能力，能自己使用皮料製作一些精美小皮件。
這位偉大的女性用全部財產買下了位於撒丁島旁的一座小島，並將它命名為“POWERLAND”（PLD），寓意顛覆女性傳統觀念的力量之島。在這裡，她修築了別墅，設立了皮件作坊，她設計的手包款式充滿了新奇、時尚、戲謔感，卻又具備異樣的藝術魅力。
在Louis女士去世以後，他的侄子繼承了島上的皮件作坊，1989年他以原有作坊為雛形。創立了以小島名字命名的品牌——POWERLAND（保蘭德），並在米蘭開了第一家精品皮具店。
1997年， POWERLAND皮具以卓越創新的設計理念，無可挑剔的完美做工，義大利上等天然皮料；創造出奢華而不失個性，經典而不失時尚的箱包，使多姿多彩的女性化元素得到張揚，受到全球無數新貴族女性的青睞。
2003年，POWERLAND在站穩了歐美市場以後，開始著眼於中國市場，並且進軍中國市場。
2009年，原GUCCI設計總監杜爾閣-弗蘭西斯科先生加入POWERLAND擔任POWERLAND皮具總設計師和品牌總顧問，旨 在將國際先進的經營理念、服務模式、行銷方式移植到POWERLAND品牌；同年,與法國奢侈品協會洽談合作，標誌著POWERLAND朝國際頂級品牌行 列邁出重要一步。
硬體
簡介
PLD是Programmable Logic Device的縮寫，意為可程式邏輯器件，即主要實現數字邏輯的積體電路，並且是可以通過編程來改變其功能的。
PLD是做為一種通用積體電路生產的，但其最終產品又具有專用積體電路的性質。在傳統的積體電路全定製設計中，廠家（設計人員）需要從前端到後端再到生產測試全流程參與，並且產品內部的積體電路（硬體）不能改動，一旦有錯誤或者有新的需求就必須重新經過Foundry生產，成本高、周期長。而PLD的出現正好彌補了這方面的缺陷。PLD的邏輯功能可以根據用戶對器件的編程來決定，設計人員不用介入版圖設計和生產流程，可以通過編程快速得到想要的電子系統功能。因此可以認為編程前PLD是通用積體電路，編程後的PLD是專用積體電路。
PLD的發展很快，從早期最簡單的可程式唯讀存貯器(PROM)，到今天幾乎可以實現整個系統的功能強大“可程式SoC”，期間出現了很多種類的PLD器件，但是不管其如何發展，最核心的還是在“可程式”上，而可程式歸根結底是要解決兩個問題：如何改變邏輯功能、如何改變邏輯單元之間的互連關係。
發展歷程
早期的可程式邏輯器件只有可程式唯讀存貯器(PROM)、紫外線可擦除唯讀存貯器(EPROM)和電可擦除唯讀存貯器(EEPROM)三種。由於結構的限制，它們只能完成簡單的數字邏輯功能。
其後，出現了一類結構上稍複雜的可程式晶片，即可程式邏輯器件，它能夠完成各種數字邏輯功能。典型的PLD由一個“與”門和一個“或”門陣列組成，而任意一個組合邏輯都可以用“與一或”表達式來描述，所以， PLD能以乘積和的形式完成大量的組合邏輯功能。這一階段的產品主要有PAL和GAL。PAL由一個可程式的“與”平面和一個固定的“或”平面構成，或門的輸出可以通過觸發器有選擇地被置為暫存狀態。PAL器件是現場可程式的，它的實現工藝有反熔絲技術、EPROM技術和EEPROM技術。還有一類結構更為靈活的邏輯器件是可程式邏輯陣列(PLA)，它也由一個“與”平面和一個“或”平面構成，但是這兩個平面的連線關係是可程式的。PLA器件既有現場可程式的，也有掩膜可程式的。在PAL的基礎上，又發展了一種通用陣列邏輯GAL，如GAL16V8,GAL22V10 等。它採用了EEPROM工藝，實現了電可按除、電可改寫，其輸出結構是可程式的邏輯宏單元，因而它的設計具有很強的靈活性，至今仍有許多人使用。這些早期的PLD器件的一個共同特點是可以實現速度特性較好的邏輯功能，但其過於簡單的結構也使它們只能實現規模較小的電路。為了彌補這一缺陷，20世紀80年代中期Altera和Xilinx分別推出了類似於PAL結構的擴展型 CPLD和與標準門陣列類似的FPGA，它們都具有體系結構和邏輯單元靈活、集成度高以及適用範圍寬等特點。這兩種器件兼容了PLD和通用門陣列的優點，可實現較大規模的電路，編程也很靈活。與門陣列等其它ASIC相比，它們又具有設計開發周期短、設計製造成本低、開發工具先進、標準產品無需測試、質量穩定以及可實時線上檢驗等優點，因此被廣泛套用於產品的原型設計和產品生產(一般在10,000件以下)之中。幾乎所有套用門陣列、PLD和中小規模通用數字積體電路的場合均可套用FPGA和CPLD器件。
分類
按集成度劃分
（1）低集成度晶片。早起出現的PROM、PAL、可重複編程的GAL都屬於這類，可重構使用的邏輯門數大約在500門以下，稱為簡單PLD。
（2）高集成度晶片。如現在大量使用的CPLD、FPGA器件，稱為複雜PLD。
按結構劃分
（1）乘積項結構器件。其基本結構為“與-或”陣列的器件，大部分簡單PLD和CPLD都屬於這個範疇。
（2）查找表結構器件。由簡單的查找表組成可程式門，再構成陣列形式。大多數FPGA是屬於此類器件。
按編程工藝劃分
（1）熔絲型器件。早期的PROM器件就是採用熔絲結構的，編程過程是根據設計的熔絲圖檔案來燒斷對應的熔絲，達到編程和邏輯構建的目的。
（2)反熔絲型器件。是對熔絲技術的改進，在編程處通過擊穿漏層使得兩點之間獲得導通，這與熔絲燒斷獲得開路正好相反。
（3）EPROM型。稱為紫外線擦除電可程式邏輯器件，是用較高的編程電壓進行編程，當需要再次編程時，用紫外線進行擦除。
（4）EEPROM型。即電可擦寫編程軟體，現有部分CPLD及GAL器件採用此類結構。它是對EPROM的工藝改進，不需要紫外線擦除，而是直接用電擦除。
（5）SRAM型。即SRAM查找表結構的器件，大部分FPGA器件都採用此種編程工藝，如Xilinx和Altera的FPGA器件。這種方式在編程速度、編程要求上要優於前四種器件，不過SRAM型器件的編程信息存放在RAM中，在斷電後就丟失了，再次上電需要再次編程（配置），因而需要專用的器件來完成這類配置操作。
（6）Flash型。Actel公司為了解決上述反熔絲器件的不足之處，推出了採用Flash工藝的FPGA，可以實現多次可編寫，同時做到掉電後不需要重新配置，現在Xilinx和Altera的多個系列CPLD也採用Flash型。
組成
·一個二維的邏輯塊陣列，構成了PLD器件的邏輯組成核心。
·輸入/輸出塊：連線邏輯塊的互連資源。
·連線資源：由各種長度的連線線段組成，其中也有一些可程式的連線開關，它們用於邏輯塊之間、邏輯塊與輸入/輸出塊之間的連線。
制膜技術
簡介
脈衝雷射沉積（PLD）Pulsed Laser Deposition是近年來發展起來的使用範圍最廣，最有希望的制膜技術。
簡單來說，脈衝雷射沉積PLD(Pulsed Laser Deposition)就是脈衝雷射光束聚焦在固體靶面上，雷射超強的功率使得靶物質快速等離子化，然後濺鍍到目標物上。
優點
1.由於雷射光子能量很高，可濺射製備很多困難的鍍層：如高溫超導薄膜，陶瓷氧化物薄膜，多層金屬薄膜等； PLD可以用來合成納米管，納米粉末等。
2.PLD可以非常容易的連續融化多個材料，實現多層膜製備。
3.PLD可以通過控制雷射能量和脈衝數，精密的控制膜厚。
對雷射器要求
1.儘可能避免熱效應：雷射波長越短，越容易實現“冷加工”所以193nm,248nm的準分子雷射器和266nm,355nm的高次諧波ND:YAG固態雷射器為客戶所常用。
2.大能量，短脈衝創造超過靶材的閾值的功率密度。
3.比較高的重複頻率，提升濺射速度。
4.雷射器使用簡單，壽命長，易於維護（這一點Nd:YAG固態雷射器要好於準分子雷射器）。
相關產品
雷射光源部分：法國Quantel公司的脈衝Nd:YAG雷射器， (連結)
推薦型號：
1.Brillant B 系列：即插即用型3倍頻（355nm），4倍頻（266nm）結構；用戶使用方便，也是商用PLD系統OEM廠家的選擇。
2.YG980系列：高能量輸出，工作穩定，維護方便。是科研用PLD系統的首選。
測試系統部分：
1.電漿光譜測試系統：英國Andor公司，
2.真空腔殘餘氣體分析儀：美國SRS公司 RGA200等
3.紅外熱像儀：美國Electrophysics公司 PV320等
PLD
PLD(Pulsed Laser Deposition)脈衝雷射沉積,也被稱為脈衝雷射燒蝕（pulsed laser ablation，PLA），是一種利用雷射對物體進行轟擊，然後將轟擊出來的物質沉澱在不同的襯底上，得到沉澱或者薄膜的一種手段。
歷史背景
早於1916年，愛因斯坦（Albert Einstein）已提出受激發射作用的假設。可是，首部以紅寶石棒為產生雷射媒介的雷射器，卻要到1960年，才由梅曼（Theodore H. Maiman）在休斯實驗研究所建造出來。總共相隔了44年。使用雷射來熔化物料的歷史，要追溯到1962年，布里奇（Breech）與克羅斯（Cross）利用紅寶石雷射器，汽化與激發固體表面的原子。三年後，史密斯（Smith）與特納（Turner）利用紅寶石雷射器沉積薄膜，視為脈衝雷射沉積技術發展的源頭。
發展歷程
不過，脈衝雷射沉積的發展與探究，處處受制。事實上，當時的雷射科技還未成熟，可以得到的雷射種類有限；輸出的雷射既不穩定，重複頻率亦太低，使任何實際的膜生成過程均不能付諸實行。因此，PLD在薄膜製作的發展比其它技術落後。以分子束外延（MBE）為例，製造出來的薄膜質素就優良得多。
往後十年，由於雷射科技的急速發展，提升了PLD的競爭能力。與早前的紅寶石雷射器相比，當時的雷射有較高的重複頻率，使薄膜製作得以實現。隨後，可靠的電子Q開關雷射（electronic Q-switches lasers）面世，能夠產生極短的雷射脈衝。因此，PLD能夠用來做到將靶一致蒸發，並沉積出化學計量薄膜。由於紫外線輻射，薄膜受吸收的深度較淺。之後發展出來的高效諧波雷射器（harmonic generator）與激基分子雷射器（excimer）甚至可產生出強烈的紫外線輻射。自此以後，以非熱能雷射熔化靶物質變得極為有效。
自1987年成功製作高溫的Tc超導膜開始，用作膜製造技術的脈衝雷射沉積獲得普遍讚譽，並吸引了廣泛的注意。過去十年，脈衝雷射沉積已用來製作具備外延特性的晶體薄膜。陶瓷氧化物（ceramic oxide）、氮化物膜（nitride films）、金屬多層膜（metallic multilayers），以及各種超晶格（superlattices）都可以用PLD來製作。近來亦有報告指出，利用PLD可合成納米管（nanotubes）、納米粉末（nanopowders），以及量子點（quantum dots）。關於複製能力、大面積遞增及多級數的相關生產議題，亦已經有人開始討論。因此，薄膜製造在工業上可以說已邁入新紀元。
PLD的機制
PLD的系統設備簡單，相反，它的原理卻是非常複雜的物理現象。它涉及高能量脈衝輻射衝擊固體靶時，雷射與物質之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其後已熔化的物質通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉移，及最後的膜生成過程。所以，PLD一般可以分為以下四個階段：
1.雷射輻射與靶的相互作用
2. 熔化物質的動態
3. 熔化物質在基片的沉積
4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）與生成
PLD主要優點
1. 易獲得期望化學計量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性；
2. 沉積速率高，試驗周期短，襯底溫度要求低，製備的薄膜均勻；
3. 工藝參數任意調節，對靶材的種類沒有限制；
4. 發展潛力巨大，具有極大的兼容性；
5. 便於清潔處理，可以製備多種薄膜材料。
