基本參數
類別:分立式半導體家庭:MOSFET,GaNFET-單
系列:HEXFET?
FET型:MOSFETN通道,金屬氧化物
FET特點:標準型
開態Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:125毫歐@11A,10V
漏極至源極電壓(Vdss):150V
電流-連續漏極(Id)@25°C:18A
Id時的Vgs(th)(最大):5.5V@250μA
閘電荷(Qg)@Vgs:43nC@10V
在Vds時的輸入電容(Ciss):900pF@25V
功率-最大:110W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DPak,SC-63,TO-252(2引線+接片)
包裝:管件
供應商設備封裝:D-Pak
其它名稱:*IRFR18N15DPBF