基本參數
類別：分離式半導體產品
家庭：MOSFET，GaNFET -單
FET型：MOSFET N通道，金屬氧化物
FET特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400毫歐@ 8.4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續漏極(Id) @ 25° C：14A
Id時的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
在Vds時的輸入電容(Ciss)：2600pF @ 25V
功率-最大：190W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247AD
