基本信息
IRF830，採用TO-220AB封裝方式。
電晶體極性:N溝道
電壓,Vds最大:500V
開態電阻,Rds(on):1.4ohm
功耗:74W
封裝類型:TO-220AB
封裝圖片針腳數:3
功率,Pd:74W
封裝類型:TO-220AB
電晶體數:1
電晶體類型:MOSFET
溫度@電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
熱阻,結至外殼A:1.7°C/W
電壓VGS@Rdson測量:10V
電壓,Vds典型值:500V
電流,Id連續:5A
電流,Idm脈衝:20A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓,Vgsth典型值:4.5V
閾值電壓,Vgsth最高:4V
