IKW75N60

基本參數

電晶體類型:IGBT

集電極直流電流:80A

飽和電壓, Vce sat 最大:2V

電壓, Vceo:600V

封裝類型:TO-247

功耗:428W

電晶體數:1

電晶體極性:N Channel

最大連續電流, Ic:75A

電壓, Vces:600V

表面安裝器件:通孔安裝