GDDRIII

基本信息

• 名稱：GDDRIII

GDDR3顯存可以看作是GDDR2的改進版，二者有很多相同之處，例如採用1.8V標準電壓、主要採用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過GDDR3核心有所改進：GDDR3顯存採用0.11微米生產工藝，耗電量較GDDR2明顯降低。此外，GDDR3顯存採用了“Pseudo Open Drain”接口技術，只要電壓合適，顯示晶片可直接支持GDDR3顯存。
當然，顯存顆粒較長的延遲時間(CAS Latency)一直是高頻率顯存的一大通病，GDDR3也不例外，GDDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下GDDR2為3/4/5。客觀地說，GDDR3相對於GDDR2在技術上並無突飛猛進的進步，但GDDR3的性能優勢仍比較明顯。