FRAM

FRAM

FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。

簡介

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時,晶體中心原子在電場的作用下運動,並達到一種穩定狀態;當電場從晶體移走後,中心原子會保持在原來的位置。這是由於晶體的中間層是一個高能階,中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置,因此FRAM保持數據不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由於鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,與電磁作用無關,所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件(諸如磁場因素)的影響,能夠同普通ROM存儲器一樣使用,具有非易失性的存儲特性。

特點

FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題;但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有最大訪問(讀)次數的限制。

存儲單元結構

FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成,但這個電容不是一般的電容,在它的兩個電極板中間沉澱了一層晶態的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容,稱為“雙管雙容”(2T2C),每個存儲單元包括數據位和各自的參考位

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