基本內容
對於故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當有用且效率極高的分析工具。主要偵測IC內部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。舉例說明:在P-N 結加偏壓，此時N阱的電子很容易擴散到P阱，而P的空穴也容易擴散至N然後與P端的空穴(或N端的電子)做 EHP Recombination。
偵測得到亮點之情況:
會產生亮點的缺陷 - 漏電結(Junction Leakage); 接觸毛刺(Contact spiking); (熱電子效應)Hot electrons;閂鎖效應( Latch-Up);氧化層漏電( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶矽晶須(
Poly-silicon filaments); 襯底損傷(Substrate damage); (物理損傷)Mechanical damage等。
原來就會有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。
偵測不到亮點之情況:
不會出現亮點的故障 - 歐姆接觸;金屬互聯短路;表面反型層;矽導電通路等。
亮點被遮蔽之情況 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，這種情況可以採用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。
OBIRCH(光束誘導電阻變化)
光誘導電阻變化(OBIRCH)模式能快速準確的進行IC中元件的短路、布線和通孔互聯中的空洞、金屬中的矽沉積等缺陷。其工作原理是利用雷射束在恆定電壓下的器件表面進行掃描，雷射束部分能量轉化為熱能，如果金屬互聯線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，並進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區域與雷射束掃描位置的對應，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其測試精度可達nA級。
PEM(Photo Emission Microscope)
光束誘導電阻變化(OBIRCH)功能與光發射(EMMI)常見集成在一個檢測系統，合稱PEM(Photo Emission Microscope)，兩者互為補充，能夠很好的應對絕大多數失效模式。
EMMI (Enhanced Man Machine Interface) 加強版人機互動界面，採用EMMI Studio工具編輯界面。
