DIBL效應

DIBL效應

DIBL效應,是漏端引入的勢壘降低(DIBL,Drain Induced Barrier Lowering)效應,指的是是小尺寸場效應電晶體(FET)中所出現的一種不良現象。

基本概念

這是小尺寸場效應電晶體(FET)中所出現的一種不良現象,即是當溝道長度減小、電壓Vds增加、使得漏結與源結的耗盡層靠近時,溝道中的電力線可以從漏區穿越到源區,並導致源極端勢壘高度降低,從而源區注入到溝道的電子數量增加,結果漏極電流增加。溝道長度越短,DIBL效應就越嚴重。

實際上,DIBL效應往往與溝道長度調製效應同時發生,因為這些效應都是小尺寸場效應電晶體中容易出現的問題。

效應的影響

這種效應的影響主要有三個方面:

a)使場效應電晶體的閾值電壓降低,影響到器件的整個性能;

b)使輸出伏安特性曲線不飽和,即導致輸出交流電阻降低、器件的電壓增益下降。(DIBL的這種作用與溝道長度調製效應的一樣,都將導致小尺寸電晶體的電壓增益下降。)

c)限制著小尺寸MOSFET 進一步縮小尺寸,實際上這往往也就是ULSI進一步提高集成度所受到的一種限制。

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