DIBL效應

DIBL效應，是漏端引入的勢壘降低（DIBL，Drain Induced Barrier Lowering）效應，指的是是小尺寸場效應電晶體（FET）中所出現的一種不良現象。

基本概念

這是小尺寸場效應電晶體（FET）中所出現的一種不良現象，即是當溝道長度減小、電壓Vds增加、使得漏結與源結的耗盡層靠近時，溝道中的電力線可以從漏區穿越到源區，並導致源極端勢壘高度降低，從而源區注入到溝道的電子數量增加，結果漏極電流增加。溝道長度越短，DIBL效應就越嚴重。

實際上，DIBL效應往往與溝道長度調製效應同時發生，因為這些效應都是小尺寸場效應電晶體中容易出現的問題。

效應的影響

這種效應的影響主要有三個方面：

a）使場效應電晶體的閾值電壓降低，影響到器件的整個性能；

b）使輸出伏安特性曲線不飽和，即導致輸出交流電阻降低、器件的電壓增益下降。（DIBL的這種作用與溝道長度調製效應的一樣，都將導致小尺寸電晶體的電壓增益下降。）

c）限制著小尺寸MOSFET 進一步縮小尺寸，實際上這往往也就是ULSI進一步提高集成度所受到的一種限制。