第一款樣品
三星完成史上第一條DDR4記憶體 三星電子2011年1月4日宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4DRAM規格記憶體條的開發，並採用30nm級工藝製造了首批樣品。
數據規格
時至今日，DDR4記憶體的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3記憶體的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。僅此一點，DDR4記憶體就可以節能最多40％。
根據此前的規劃，DDR4記憶體頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示，這條DDR4記憶體使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術，在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3記憶體的一半。
三星稱，2010年12月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4記憶體條的樣品進行測試，並計畫與多家記憶體廠商密切合作，幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標準規範的制定工作，預計2012年開始投入商用。
