簡介
矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。主要套用於超高頻低噪聲功率管主要套用於VHJF，UHF，CATV高頻寬頻低噪聲放大器。
參數
類別：NPN-矽通用電晶體
集電極-發射極電壓VCEO：12V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:3.0V
集電極直流電流IC:100mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
電性能參數（TA=25℃）：
擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大係數hFE:50~300
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特徵頻率fT:7.0GHz
封裝：SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：矽(Si)
封裝材料：塑膠封裝
集電極允許電流：0.1（A）
集電極最大允許耗散功率：0.2（W）
