龔敏[四川大學教授]

龔敏，四川大學教授，博士生導師。畢業於四川大學物理系半導體物理專業，1985年在四川大學物理系獲碩士學位，1999年獲香港大學哲學博士學位。現為四川大學物理科學與技術學院院長、核科學與工程技術學院院長（兼），固體光電子學、微電子學教授。還是國務院學位委員會物理學和天文學學科評議組成員,教育部物理學與天文學教學指導委員會物理學分委員會委員；黃昆基金會黃昆半導體物理學獎評審委員會委員；中國物理學會理事，半導體物理專業委員會、光散射專業委員會和教學委員會委員；四川省物理學會副理事長，四川省電子學會半導體和積體電路專委會副主任；高能量密度物理及技術教育部重點實驗室主任，微電子技術四川省重點實驗室主任；《光散射學報》常務副主編，《半導體光電》、《四川大學學報》（理科版）和《大學物理-教育學專刊》編委等。 長期從事新型半導體材料與器件工藝、積體電路設計和工藝及半導體器件的輻照效應研究，並在這些領域招收博、碩士研究生。先後負責和參與國家自然科學基金、重點實驗室基金和博士點基金等科研項目10餘項；發表學術論文100餘篇，其中在Appl Phys Lett, J Appl Phys, Phys Rev Lett等國際著名學術刊物發表論文40 余篇。已經培養畢業博/碩士研究生60餘名。

基本信息

• 中文名：龔敏
• 性別：男
• 民族：漢
• 國籍：中國
• 職業： 教授
  
• 畢業院校：四川大學

人物經歷

龔敏，四川大學教授，博士生導師。畢業於四川大學物理系半導體物理專業，1985年在四川大學物理系獲碩士學位，1999年獲香港大學哲學博士學位。現為四川大學物理科學與技術學院院長、核科學與工程技術學院院長（兼），固體光電子學、微電子學教授。還是國務院學位委員會物理學和天文學學科評議組成員,教育部物理學與天文學教學指導委員會物理學分委員會委員；黃昆基金會黃昆半導體物理學獎評審委員會委員；中國物理學會理事，半導體物理專業委員會、光散射專業委員會和教學委員會委員；四川省物理學會副理事長，四川省電子學會半導體和積體電路專委會副主任；高能量密度物理及技術教育部重點實驗室主任，微電子技術四川省重點實驗室主任；《光散射學報》常務副主編，《半導體光電》、《四川大學學報》（理科版）和《大學物理-教育學專刊》編委等。

研究方向

長期從事半導體材料與器件工藝研究，近年來主要科研興趣是寬禁帶半導體 SiC 和 GaN 的器件物理和工藝研究；積體電路設計中的相關問題研究； 物理學史和物理學教學研究。

主要貢獻

長期從事新型半導體材料與器件工藝、積體電路設計和工藝及半導體器件的輻照效應研究，並在這些領域招收博、碩士研究生。先後負責和參與國家自然科學基金、重點實驗室基金和博士點基金等科研項目10餘項；發表學術論文100餘篇，其中在Appl Phys Lett, J Appl Phys, Phys Rev Lett等國際著名學術刊物發表論文40 余篇。已經培養畢業博/碩士研究生60餘名。

承擔國家自然科學基金和國防重點實驗室基金項目，並已經在 Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics,Physical Review Letters 等國際著名學術刊物發表論文 30 余篇。

培養畢業研究生 13 名，現指導在讀研究生 20 余名，博士生 1 名。在凝聚態物理專業（半導體材料與器件物理方向）招收博士生，在微電子學與固體電子學專業和高等教育學專業招收碩士生。

學術論文

· Low energy electron irradiation induced deep level defects in 6H-SiC ， Physical Review Letters,92,125504（2004）.

· Positron-electron autocorrelation function study of E-center in silicon ， Journal of Applied Physics,94,5549（2003）.

· Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC ， Journal of Applied Physics,94,3004（2003）.

· Beryllium implantation induced deep level defects in p-type 6h-silicon carbide ， Journal of Applied Physics,93，（3117）2003

· Electron paramagnetic resonance parameters for various V+3 centers in 4H-and 6H-SiC crystals,Physical Review B66,24520（2002）.

· Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence,Applied Physics Letters,80,3934（2002）.

· Photoluminescence characterization of beryllium-implanted 6H-silicon carbide,Solid State Communications,121,67 （2002）.

· Beryllium implantation induced deep levels in 6H-silicon carbide,Physica B308-310,718（2001）.

· Photoluminescence study of beryllium implantation induced intrinsic defects in 6H-silicon carbide,Physica B308,710（2001）.