龔敏[四川大學教授]

龔敏[四川大學教授]

龔敏,四川大學教授,博士生導師。畢業於四川大學物理系半導體物理專業,1985年在四川大學物理系獲碩士學位,1999年獲香港大學哲學博士學位。現為四川大學物理科學與技術學院院長、核科學與工程技術學院院長(兼),固體光電子學、微電子學教授。還是國務院學位委員會物理學和天文學學科評議組成員,教育部物理學與天文學教學指導委員會物理學分委員會委員;黃昆基金會黃昆半導體物理學獎評審委員會委員;中國物理學會理事,半導體物理專業委員會、光散射專業委員會和教學委員會委員;四川省物理學會副理事長,四川省電子學會半導體和積體電路專委會副主任;高能量密度物理及技術教育部重點實驗室主任,微電子技術四川省重點實驗室主任;《光散射學報》常務副主編,《半導體光電》、《四川大學學報》(理科版)和《大學物理-教育學專刊》編委等。 長期從事新型半導體材料與器件工藝、積體電路設計和工藝及半導體器件的輻照效應研究,並在這些領域招收博、碩士研究生。先後負責和參與國家自然科學基金、重點實驗室基金和博士點基金等科研項目10餘項;發表學術論文100餘篇,其中在Appl Phys Lett, J Appl Phys, Phys Rev Lett等國際著名學術刊物發表論文40 余篇。已經培養畢業博/碩士研究生60餘名。

基本信息

人物經歷

龔敏,四川大學教授,博士生導師。畢業於四川大學物理系半導體物理專業,1985年在四川大學物理系獲碩士學位,1999年獲香港大學哲學博士學位。現為四川大學物理科學與技術學院院長、核科學與工程技術學院院長(兼),固體光電子學、微電子學教授。還是國務院學位委員會物理學和天文學學科評議組成員,教育部物理學與天文學教學指導委員會物理學分委員會委員;黃昆基金會黃昆半導體物理學獎評審委員會委員;中國物理學會理事,半導體物理專業委員會、光散射專業委員會和教學委員會委員;四川省物理學會副理事長,四川省電子學會半導體和積體電路專委會副主任;高能量密度物理及技術教育部重點實驗室主任,微電子技術四川省重點實驗室主任;《光散射學報》常務副主編,《半導體光電》、《四川大學學報》(理科版)和《大學物理-教育學專刊》編委等。

研究方向

長期從事半導體材料與器件工藝研究,近年來主要科研興趣是寬禁帶半導體 SiC 和 GaN 的器件物理和工藝研究;積體電路設計中的相關問題研究; 物理學史和物理學教學研究。

主要貢獻

長期從事新型半導體材料與器件工藝、積體電路設計和工藝及半導體器件的輻照效應研究,並在這些領域招收博、碩士研究生。先後負責和參與國家自然科學基金、重點實驗室基金和博士點基金等科研項目10餘項;發表學術論文100餘篇,其中在Appl Phys Lett, J Appl Phys, Phys Rev Lett等國際著名學術刊物發表論文40 余篇。已經培養畢業博/碩士研究生60餘名。

承擔國家自然科學基金和國防重點實驗室基金項目,並已經在 Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics,Physical Review Letters 等國際著名學術刊物發表論文 30 余篇。

培養畢業研究生 13 名,現指導在讀研究生 20 余名,博士生 1 名。在凝聚態物理專業(半導體材料與器件物理方向)招收博士生,在微電子學與固體電子學專業和高等教育學專業招收碩士生。

學術論文

· Low energy electron irradiation induced deep level defects in 6H-SiC , Physical Review Letters,92,125504(2004).

· Positron-electron autocorrelation function study of E-center in silicon , Journal of Applied Physics,94,5549(2003).

· Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC , Journal of Applied Physics,94,3004(2003).

· Beryllium implantation induced deep level defects in p-type 6h-silicon carbide , Journal of Applied Physics,93,(3117)2003

· Electron paramagnetic resonance parameters for various V+3 centers in 4H-and 6H-SiC crystals,Physical Review B66,24520(2002).

· Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence,Applied Physics Letters,80,3934(2002).

· Photoluminescence characterization of beryllium-implanted 6H-silicon carbide,Solid State Communications,121,67 (2002).

· Beryllium implantation induced deep levels in 6H-silicon carbide,Physica B308-310,718(2001).

· Photoluminescence study of beryllium implantation induced intrinsic defects in 6H-silicon carbide,Physica B308,710(2001).

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