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稀土高K柵介質材料
《稀土高K柵介質材料》主要介紹稀土高K柵介質材料Er2O3、Tm2O3薄膜的生長、結構及其特性，重點介紹了利用分子束外延方法獲得超薄高K氧化物薄膜的方法...
內容簡介 圖書目錄 -
英特爾45納米高K半導體製程技術
概述英特爾45納米高K半導體製程技術英特爾45納米高K半導體製程技術全稱為英特爾45納米高K金屬柵矽製程技術。該技術突破性的採用金屬鉿...。 英特爾45納米高K半導體製程技術全稱為英特爾45納米高K金屬柵矽...
概述 發展 技術優勢 高K-金屬柵極和45納米有什麼關係 酷睿處理器從性能到節能 -
感測器
決定。一般光柵位移感測器、磁柵位移感測器、雷射位移感測器等採用干涉法...。提高靈敏度，可得到較高的測量精度 。但靈敏度愈高，測量範圍愈窄，穩定性...
產品定義 產品特點 工作原理 組成介紹 性能指標 -
MOS電晶體
具有高介電常數的材料，稱為高k柵絕緣介質。第四個對器件閾值電壓具有重要...溝道的形成主要來自兩個方面：①柵與襯底之間的二氧化矽介質中含有的固定電荷...也會跟著變化。影響因素第一個影響閾值電壓的因素是作為介質的二氧化矽(柵氧化...
產品介紹 開通過程 影響因素 轉移特性 襯底偏置效應 -
電子管
柵間距, 有利於提高跨導。3)由於燈絲是網狀結構, 單根燈絲的電流較小...的柵極電子管的柵極根據它們在管中所起的作用不同分為一柵、二柵, 有時也稱為控制柵、簾柵。第一柵的主要作用是控制陰極電流, 二柵的作用是禁止板極對第一...
內部結構 引腳識別 基本單位縮寫 發展歷史 優缺點 -
傳輸常數
求得的 k得到有效介電常數。用上述方法解得單層介質微帶線的傳輸常數後與其...耗介質情況下微帶線的傳輸常數在介質有耗情況下，此時 k不再是實數，解得 k的實部和虛部，為簡化解法，採用多次疊代的方法，即先假設介質無耗，解出...
傳輸常數的全波分析方法 復蓋高介電常數薄層介質波導傳輸常數的計算 -
鐵電場效應電晶體
增加絕緣膜的厚度，以利於改善柵介質薄膜的均勻性。因此，採用高K材料來製作柵絕緣層，可以大大提高絕緣柵場效應電晶體（MISFET）的性能。用高K...增加過渡層), 而且需要採用金屬柵電極 (因這些高K材料易與多晶矽反應生成...
簡介 性能 -
電阻應變計
是將感測器彈性元件表面的應變傳遞到電阻絲柵上的中間介質，起絕緣作用...組成一般由敏感柵、引線、粘結劑、基底和蓋層組成（圖1）。 電阻應變計...（伸長或縮短），會使應變計的敏感柵隨之變形，應變計的電阻就發生變化，其...
組成 分類 發展 -
電阻應變計測量技術
可在壓力達數千巴的液體介質容器中達到有效的密封。高壓液體介質對敏感柵的壓力...利用光刻技術，首次製成了箔式應變計。隨著微光刻技術的進展，這種應變計的柵...應變計高50倍以上，現已用於測量力、扭矩和位移等的感測器上。電阻應變計種類...
發展簡史 電阻應變計種類 測量原理 應變測量技術應變測量技術分類 -
電晶體
。 2007年1月29日：英特爾公布採用突破性的電晶體材料即高-k柵介質和金屬...、低功耗電晶體，應變矽，高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中...現代電子電路的基本構建塊。 由於其回響速度快，準確性高，電晶體可用於...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑
