圖書信息
高頻CMOS模擬積體電路基礎
定 價：￥60.00
作 者：（土）萊布萊比吉 等著
出 版 社：科學出版社
出版時間：2011-6-1
開 本：16開
I S B N：9787030315199
內容簡介
萊布萊比吉編著的《高頻CMOS模擬積體電路基礎（影印版）》以設計為核心理念從基礎模擬電路講述到射頻積體電路的研發。系統地介紹了高頻積體電路體系的構建與運行，重點講解了電晶體級電路的工作體系，設備性能影響及伴隨回響，以及時域和頻域上的輸入輸出特性。
《高頻CMOS模擬積體電路基礎（影印版）》適合電子信息專業的高年級本科生及研究生作為RFCMOS電路設計相關課程的教材使用，也適合模擬電路及射頻電路工程師作為參考使用。
目錄
Preface 1 Components of analog CMOS ICs 1.1 MOS transistors 1.1.1 Current-voltage relations of MOS transistors 1.1.1.1 The basic current-voltage relations without velocity saturation 1.1.1.2 Current-voltage relations under velocity saturation 1.1.1.3 The sub-threshold regime 1.1.2 Determination of model parameters and related secondary effects 1.1.2.1 Mobility 1.1.2.2 Gate capacitance 1.1.2.3 Threshold voltage 1.1.2.4 Channel length modulation factor 1.1.2.5 Gate length （L） and gate width （W） 1.1.3 Parasitics of MOS transistors 1.1.3.1 Parasitic capacitances 1.1.3.2 The high-frequency figure of merit 1.1.3.3 The parasitic resistances 1.2 Passive on-chip components 1.2.1 On-chip resistors 1.2.2 On-chip capacitors 1.2.2.1 Passive on-ch
