高速開關二極體

高速開關二極體較普通開關二極體的反向恢復時間更短，開、關頻率更快。

常用的國產高速開關二極體有2CK系列。

進口高速開關二極體有1N系列、1S系列、1SS系列（有引線塑封）和RLS系列（表面安裝）。

高速開關二極體 - 特 征PN接合二極體由於利用了少數載子，因此導電調製效果雖然可以降低正向電壓，但少數載子所帶有的反向恢復特性會阻礙高速切換。FRD和HED雖然都是PN接合二極體的一咱，但是將白金等重金屬加入Si單結晶中，增加電子和空穴的再結合中心，能迅速消滅關斷後的少數載子。同時，肖特基勢壘二極體主要是由多數載子在運動，因此不會出現反向恢復特性。因此，運行也更快速。

反向恢復特性

合併圖冊

PN接合二極體在正向電流的狀態下突然施加反向電壓的話，應 付以在瞬間有較大的反向電流流通。這是因為從PN接合注入的少數載子反向移動，而該電流將流通直到少數載子流出或消滅為止。高速開關二極體用於縮短反向電流變為零為止的時間（反向恢復時間：trr）、改善反向電流波形的平滑性。

種類

高速恢復

（FRD：Fast Recovery Diode）
高速恢復二極體在結構上和一般整流二極體基本相同，但它是一種有白金、金等摻雜物質擴散在Si結晶中，增加了電子和空穴的再結合中心，關閉後少數載子會立刻被消滅的二極體。因此可以提高二極體的反向恢復特性（反向恢復時間：trr），實現高速動作。

高效二極體

（HED：High Efficiency Diode）
高效二極體比上述FRD速度更快，損失更低（正向電壓較低），因此它使用外延晶圓，在利用導電調製效果（參考PIN二極體）來降低正向電阻的同時，通過追加重金屬擴散，能在不損壞正向特性的情況下，提高反向恢復特性。HED用於比FRD更為高速的開關電路。

肖特基勢壘

合併圖冊

（SBD：Schottky Barrier Diode）
真空能量等級和傳導帶等級的能量的差（稱為電子親和力）是利用金屬和半導體的不同，根據和PN接合不同的原理，通過改變外加電壓的方向來控制電流開合的。它和利用少數載子擴散電流的PN接合不同，主要是利用多數載子的漂移電流，因此可以實現高速開關。肖特基勢壘二極體和PN接合二極體相比反向電流較大，因此在高壓下使用時容易發生熱故障，使用時要非常小心。