高真空電擊穿

高真空電擊穿指由於高真空狀態下氣體密度減少到很小的程度，電子或離子的自由程將很長，以致在間隙中不易發生碰撞電離，間隙的擊穿電壓升高（帕邢定律的左半支曲線）的現象。

發現

某些設備高真空間隙的擊穿場強可高達1.3MV/cm。影響真空間隙擊穿過程有許多因素，如真空度、間隙距離、電極材料、電極狀態、電壓作用時間等。在真空放電中,電極表面過程,特別是陰極表面過程是非常重要的，許多研究工作圍繞著這個問題進行，提出了各種真空擊穿放電模型，如場致發射模型、微粒模型、微放電模型等。

影響

對於脈衝電壓擊穿的機制，看法比較一致。對於穩態電壓下的真空擊穿機制，P.A.恰特登認為,在間隙距離d≈10-3～10-1cm的區域，可能是場致發射引起擊穿；在d≈10-1～1cm的區域,可能是微放電的擊穿機制；更大的間隙， 可能是微粒擊穿機制。