人物生平
深圳大學光電工程學院高級工程師馮玉春 馮玉春博士，深圳大學光電工程學院高級工程師，女 ，1961年2月生，湖南人，碩士導師。1982年1月畢業於湖南大學半導體專業，獲學士學位，1988年7月畢業於西安交通大學半導體物理與器件專業，獲碩士學位，1996年10月畢業於西安交通大學半導體物理與器件專業，獲博士學位。1999年9月調入深圳大學光電子學研究所。 長期從事半導體材料與器件的研製與開發工作。
主要成就
先後主持國家“八·五”科技攻關項目“MCT研究”，研製出10A、1000V、關斷時間達1.5微秒的MCT樣品，並通過國家“八·五”鑑定驗收；參加了國家“八·五”攻關項目“IGBT研究”，研製出了35A/1200V IGBT單管和50A～200A，600V～1200V二單元IGBT摸塊，並通過國家“八·五”攻關鑑定驗收。研製了非晶矽和非晶氮化矽材料，所研製的非晶場效應電晶體通態與斷態電流比達六個數量級。 參加了大功率可控矽及其快速晶閘管的研製與生產，如《舟山直流輸電用可控矽的研製》、《高可靠性可控矽》和《特大功率晶閘管的研製》等課題，並從事產品ISO9001系統的建立。曾獲陝西省機械局科學技術進步獎二等獎2項、陝西省機械局科學技術進步獎一等獎1項、西安市科學技術進步獎三等獎1項、西安市科學技術進步獎二等獎1項、陝西省科學技術進步獎三等獎1項。發表論文十餘篇。 調入深圳大學後，負責半導體實驗室的籌建和設備調研、定購與安裝調試工作。目前正在從事氮化鎵基材料與器件的研製，研究如何有效地提高LED的外量子效率，在建立相關理論模型的基礎上進行CAD輔助設計，最佳化LED輸出層結構圖形和材料；研究氮化鎵基LED的發光機制，氮化鎵基材料的MOCVD外延生長技術、緩衝層的影響以及在不同襯底上優質異型外延材料的生長。
先後承擔了市科技項目《光子晶體在藍、綠光LED中的套用》、《納米圖形化矽襯底GaN外延生長技術研究》,省重點實驗室啟動項目《GaN紫外發光二極體的研究》;參加 廣東省關鍵領域重點突破項白《光LED器件和套用產品關鍵技術研究與產業化》和國家863計畫引導項目《大功率白光LED器件產業關鍵技術研究與開發》，並為子項目負責人。
