工作領域
長期從事光學工程、物理電子學領域內的科研與教學工作。
研究及成果
目前承擔有國家863新材料領域“半導體照明工程”重大課題子項目“功率型白光LED封裝關鍵技術－螢光粉塗層技術的研究”，致力於功率型白光LED封裝中螢光粉的平面塗層關鍵工藝，研發粉層成份一致、厚度和形狀可控的螢光粉平面塗層新技術。
1999年以前，作為主要研究人員參與完成了多項國家級重點科研項目，例如：軍事電子預研項目“高亮度、高解析度YAG顯示管”；國家“八·五”重大科技攻關項目“2英寸YAG投影管”；國家“八·五”重大科技攻關項目“新型投影電視機原理樣機”；國家“九·五”重大科技攻關項目“3英寸YAG投影管工業正樣”；國家“九·五”重大科技攻關項目“新型投影電視機工業正樣”。
其中，作為螢光屏分課題負責人研製成功的高亮度、高解析度YAG投影顯示管達到國際領先水平，並獲得國家發明專利（ZL96117603.2），“高亮度、高解析度單晶彩色投影顯示管”。
項目“高亮度、高解析度YAG顯示管”在1996年獲電子部科技進步一等獎，並於1998年榮獲國家技術發明二等獎，排名第五。
1999-2001年，承擔並完成了國防預研基金項目“二極體泵浦被動調Q微雷射器技術”和國防重點實驗室基金項目“二極體泵浦被動調Q高重頻固體微雷射器技術”。研製成功的外延Cr4+：YAG飽和吸收體的各項性能指標達到當前國際先進水平，相關成果得到了有關部門和專家的充分肯定與好評。
2002-2005年，承擔並完成四川省重點科技研究項目“二極體泵浦雷射器研究”，研製出基於外延工藝的單片式被動調Q微雷射器樣品，屬國內首創，達到國外同期的先進水平。
2003-2005年，承擔並完成國家“863”雷射技術創新基金項目“新波段(680-780nm)被動調Q飽和吸收單晶的研製”，完成了Cr5+：YAG飽和吸收體的液相外延生長。
2003-2006年，國家“十五”“211工程”子項目-“新型信息顯示技術”負責人, 完成了（對角線2英寸）30*38mm、 解析度達到128*160線、全彩色顯示PMOLED屏的研製工作，國內一流並與國際先進水平接軌。
2004-2006年，承擔浙江陽光集團橫向合作項目“OLED器件研究”子課題“ITO基板的研究”項目，成功開發出低溫、低阻、高透明OLED用200*200(mm)ITO透明導電玻璃基板。
2003.9-2004.3，美國Georgia Institute of Technology（GIT）的School of Material Science and Engineering（MSE）訪問進修，在“先進螢光粉研究中心”（Phosphor Technology Center of Excellence, PTCOE）從事II-VI族納米半導體顆粒及相關螢光粉的研究。 完成相關科研學術論文多篇，分別發表於Journal of Crystal Growth、光學學報、電子學報等期刊上，其中七篇為被SCI、EI所收錄。
