非晶矽光電池

等多層疊層式結構，或是插入一些過渡層。 發展集成型a-Si光電池組件，雷射切割的使用有效面積達90％以上，小面積轉換效率提高到14.6％，大面積大量生產的為8-10％，疊層結構的最高效率為21％。 研發動向是改善薄膜特性，精確設計光電池結構和控制各層厚度，改善各層之間界面狀態，以求得高效率和高穩定性。

a-Si（非晶矽）光電池一般採用高頻輝光放電方法使矽烷氣體分解沉積而成的。由於分解沉積溫度低，可在玻璃、不鏽鋼板、陶瓷板、柔性塑膠片上沉積約1μm厚的薄膜，易於大面積化（0.5m×1.0m），成本較低，多採用pin結構。為提高效率和改善穩定性，有時還制成三層pin等多層疊層式結構，或是插入一些過渡層。其商品化產量連續增長，年產能力45MW／a，10MW生產線已投入生產，全球市場用量每月在1千萬片左右，居薄膜電池首位。發展集成型a-Si光電池組件，雷射切割的使用有效面積達90％以上，小面積轉換效率提高到14.6％，大面積大量生產的為8-10％，疊層結構的最高效率為21％。研發動向是改善薄膜特性，精確設計光電池結構和控制各層厚度，改善各層之間界面狀態，以求得高效率和高穩定性。