VCH色心:電子空穴被束縛在正離子空位上形成的缺陷(呈正電性,用P表示);
Fch色心:自由電子被束縛在負離子空位上而形成的缺陷(呈負電性,可用N表示)。
相關詞條
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電荷藕合器件
電荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)是一種用於探測光的矽片,由時鐘脈衝電壓來產生和控制半導體勢阱的變化,實現存儲和傳遞電荷...
內容簡介 技術簡介 工作原理 CCD的光譜分析特性 CCD的種類 -
氧化層電荷與界面態
氧化層電荷是SiO2-Si系統中存在於SiO2內和SiO2-Si界面上的電荷。 在SiO2-Si系統中存在四種氧化層電荷。 由於氧化層陷阱電荷是分布在S...
氧化層電荷與界面態 正文 配圖 相關連線 -
缺陷[文學名詞]
缺陷,本意指欠缺或不夠完備的地方。在晶體學、質檢等不同領域又有著不同的含義。
晶體缺陷 缺陷分類 -
間隙缺陷
,在Ni的右下角處用M表示原子處於間隙位置。右上角表明間隙缺陷有效電荷...間隙缺陷 interstitial defect 處於間隙位置上的原子或離子形成的缺陷稱做lh]隙缺陷,當晶體中含有體積較小的原子或離子時,經...
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結構缺陷
結構缺陷指的是把晶體點陣結構中周期性勢場的畸變稱為晶體的結構缺陷。
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缺陷反應方程式
在晶體中,缺陷的相互作用可用缺陷反應方程式來表示,類似於化學反應方程式。所有適用於化學反應的基本規律也都適合缺陷化學反應。
簡介 基本原則 -
金屬氧化物中的缺陷化學
《金屬氧化物中的缺陷化學》是2006年西安交通大學出版社出版的圖書,作者是(美)史密斯。 本書討論的主題包括晶格和電子缺陷、摻雜效應、非化學計量性以及質...
內容簡介 作者簡介 目錄 -
電子缺陷
晶體的不完整性而產生的缺陷稱為電子缺陷(或稱電荷缺陷)。 電子對-內部結構模型圖 產生電子缺陷的材料其組成都有偏離化學計量的現象,因而電子缺陷也可稱為非化學計量缺陷,它是生成N型(電子導電)或P型(空穴...
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防靜電面料
一些電荷如電子轉移到另一個物體使其帶正電,而另一個體得到一些剩餘電子的物體而帶負電。若在分離的過程中電荷難以中和,電荷就會積累使物體帶上靜電。所以...,而棉質衣物產生的就較少。而且由於乾燥的環境更有利於電荷的轉移和積累,所以冬天...
靜電概述 靜電防止 加工方法 分類 紡織靜電材料