工作模式
EEPROM有四種工作模式：讀取模式、寫入模式、擦除模式、校驗模式。讀取時，晶片只需要Vcc低電壓（一般+5V）供電。編程寫入時，晶片通過Vpp（一般+25V, 較新者可能使用 12V 或 5V）獲得編程電壓，並通過PGM編程脈衝（一般50ms）寫入數據。擦除時，只需使用Vpp高電壓，不需要紫外線，便可以擦除指定地址的內容。為保證寫入正確，在每寫入一塊數據後，都需要進行類似於讀取的校驗步驟，若錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常已不再需要使用額外的 Vpp 電壓，且寫入時間也已有縮短。
由於EEPROM的優秀性能，以及線上上操作的便利，它被廣泛用於需要經常擦除的BIOS晶片以及快閃記憶體晶片，並逐步替代部分有斷電保留需要的RAM晶片，甚至取代部分的硬碟功能（見固態硬碟）。它與高速RAM成為當前（21世紀00年代）最常用且發展最快的兩種存儲技術。
歷史
1978年，Intel公司的George Perlegos在EPROM技術的基礎上，改用薄的閘極氧化層，以便無需紫外光，晶片就可以用電氣方式抹除自身的比特，因而開發出型號為2816的16kbit EEPROM。Perlegos與一些同事後來離開Intel，創立Seeq Technology公司後，在晶片上內置電荷泵（charge pump）以提供刻錄時自身所需的高電壓，因而推出只需5V電壓的EEPROM，利於實施線上刻錄（In-System Programming，ISP 或稱 In-Circuit Programming，ICP）。
EEPROM 組件的類型
有的 EEPROM 是包含於其他組件中，為該組件的一部分。 例如：MCU 中可能包含用來存儲程式或數據的 EEPROM、數字電位器（Digital Potentiometer）內也需要 EEPROM 來存儲目前的設定值。
單獨的 EEPROM 組件，其通信口通常可分為串列（serial）與並行（parallel）兩類。除電源線外，串列通信口只使用1~4隻接線來傳遞信號，所需接腳較並行式少，通常用來存儲數據。運行用的程式則通常放在並行式的 EEPROM 中，以利訪問。
序列式EEPROM
•Microwire 通信口（4線）：型號為以 93 開頭的系列。例：93C46
•I2C通信口（2線）：型號為以 24 開頭的系列。例：24LC02
•SPI通信口（3線）：型號為以 25 開頭的系列。例：25LC08
•UNI/O通信口（1線）：由 Microchip 公司出品，型號為以 11 開頭的系列。
•1-Wire通信口（1線）：由 Dallas / Maxim 公司出品。
並行式EEPROM
型號通常為以 28 開頭的系列。
至於型號通常為以 29 或 49 開頭的系列，寫入須以較大的區塊為單位，此種存儲器一般會使用 Flash （快閃記憶體/快閃記憶體）來稱呼。至於能以較小單位(例如以位元組)擦除或寫入的則才以 EEPROM 稱呼，以作區別。
