組成
RS由兩個或非門組成，有兩個輸入端和兩個輸出端
定義
雙穩態電路一般有一個輸出端和兩個輸入端（“+”、“－”端各一個），當輸入端的“+”端有觸發信號時，輸出端不管原來是什麼狀態，都會立即變為高電平，且一直穩定地輸出高電平。如果當輸入端的“－”端有觸發信號時，輸出端不管原來是什麼狀態，都會立即變為低電平，且一直穩定地輸出低電平。這就是雙穩態電路。
通俗的說，就是有A和B兩個狀態位置，你把它撥到A它就一直處於A位置，你把它撥到B它就一直處於B位置，這就是雙穩。
此開關有兩穩定的狀態，無觸發時是不變的（不動作），當接收到觸發信號時變為另一狀態，再次接收到觸發信號時變為原來一狀態，如此反覆。
工作原理
圖一為雙穩態電路，它是由兩級反相器組成的正反饋電路，有兩個穩定狀態，或者是BG1導通、BG2截止；或者是BG1截止、BG2導通，由於它具有記憶功能，所以廣泛地用於計數電路、分頻電路和控制電路中。
原理，圖2（a）中，設觸發器的初始狀態為BG1導通，BG2截止，當觸發脈衝方波從1端輸入，經CpRp微分後，在A點產生正、負方向的尖脈衝，而只有正尖脈衝能通過二極體D1作用於導通管BG1的基極。ic1減小使BG1退出飽和並進入放大狀態，於是它的集電極電位降低，經電阻分壓器送到截止管BG2的基極，使BG2的基極電位下降，如果下降幅度足夠時，BG2將由截止進入放大狀態，因而產生下列正反饋過程（看下列反饋過程時，應注意：在圖一的PNP電路中，電晶體的基極和集電極電位均為負值，所以uc1↓，表示BG1集電極電位降低，而uc1↑則表示BG1集電極電位升高，當BG1基極電位降低時，則ic1↑，反之當BG1基極電位升高時，ic1↓，ic1越來越小，ic2越來越大，最後到達BG1截止、BG2導通；接差觸發脈衝方波從2端輸入，並在t=t2時，有正尖脈衝作用於導通管BG2的基極，又經過正反饋過程，使BG1導通，BG2截止。以後，在1、2端的觸發脈衝的輪流作用下，雙穩電路的狀態也作用相應的翻轉，如圖一（b）所示。
雙穩態開關圖一、雙穩態電路
由上述過程可見：（1）雙穩態電路的尖頂觸發脈衝極性由電晶體的管型決定：PNP管要求正極性脈衝觸發，而NPN管卻要求負極性脈衝觸發。（2）每觸發一次，電路翻轉一次，因此，從翻轉次數的多少，就可以計算輸入脈衝的個數，這就是雙穩態電路能夠計算的原理。
雙穩態電路的觸發電路形式有：單邊觸發、基極觸發、集電極觸發和控制觸發等。
圖二給出幾種實用的雙穩態電路。電路（a)中D3、D4為限幅二極體，使輸出幅度限制在-6伏左右；電路（b）中的D5、D6是削去負尖脈衝；電路（C）中的ui1、ui2為單觸發，ui為輸入觸發表一是上述電路的技術指標。
雙穩態開關圖二、幾種實用的雙穩態電路
| 表一 | 幾種雙穩態觸發器的技術指標 | ||||
| 圖二 | (a) | (b) | (c) | (d) | |
| 管型 | 二極體 | 2AP3 | 2AP15 | 2AK1C | 2AK17 |
| 三極體 | 3AX31B | 3AG40 | 3AK20 | 3DK3B | |
| 信號電平 | “0”（無信號）（V） | 0 | 0 | 0 | +6 |
| “1”（有信號）（V） | -6 | -6 | -9 | 0 | |
| 工作頻率（KHz） | 10 | 600 | 1000 | 8000 | |
| 抗干擾電壓（V） | ≥1 | ≥1.5 | ≥2 | 0.8-1 | |
| 觸發靈敏度（V) | ≤4 | ≤4.8 | ≤7 | 2.5 | |
| 輸出端的吸收能力（mA) | ≤4 | ≤6.7 | ≤2 | 10 | |
| 輸出端的發射能力（mA) | ≤44 | ≤12 | ≤12 | 7 | |
| 輸出脈衝的上升時間（μs） | 2 | ≤0.30 | ≤0.1 | ≤0.1 | |
| 輸出脈衝的下降時間（μs） | 2 | ≤0.36 | ≤0.15 | ≤0.1 | |
| 對β值的要求 | >50 | 50-80 | 60-90 | >50 | |
| 元件參數的允許化 | △β<10,±5% | △β<10,±5% | △β<10,±5% | △β<10,±5% | |
| 電源電壓的波動範圍 | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% | |
| 工作溫度範圍（℃） | 0-40 | -10-55 | -20-50 | -10-55 | |
雙穩態電路的設計
雙穩態開關圖三、雙穩態的設計電路
雙穩態設計電路見表二
| 表二 | 雙穩態電路的設計公式及計算實例 | |
| 要求 | 輸出幅度Um=6V；上升時間，tr≤100nS；最高工作頻率fmax=1MHz | |
選擇CrRr：RrCr≤1/2fmax,通常Cr為幾十pF；現選Cr=51pF ∴Rr≤1/6×1051×10=3.2k 故選Rr=2.4k
計算Rc：
Rc<Ec/ED tr/CL CL為集電極對地的電容（包括加速電容、分布電容、後級輸入電容）；
現設CL=180pF Rc<12/6 100×10/180×10=1.1kΩ
選擇加速電容CK：
對合金管CK為幾百pF對高頻外延管CK為幾十pF；現選Ck=51pF 計算結果標在圖三中
計算Rk:
為保證可靠截止，應滿足： Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RKRK]-[(EB+Ubes)/RB]}>[(Ec-Uces)/Rc]+IL 式中：Uces為飽和電壓，對矽管Uces≈(0.3～0.4)V Ubeo為截止管臨界電壓，Ubeo≈0.2V Uco為截止管的集電極電壓，應取：Uco=ED+(箝位管正向壓降）IL為雙穩電路灌入負截電流
計算RB:
現選Uces=0.4V,Ubeo=0.2V 0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk<0.2 ∴RBRK]-[(12+0.7)/RB]>[(12-0.4)/1]+10 ∴RB>12.7RK/(5.7-0.43RK (B) 若選RK=6.8k由（A）算得RB31K，故選RB=39K
選擇電源電壓
圖3為設計電路，故應確定ED、EC、EB；∵採用箝位電路，故選ED≈Um ∴ED=6V，Ec=2ED=12v,Eb=-12
選擇電晶體
若工作頻率高時，應選用高速矽開關管若工作頻率低可選用低頻矽或鍺管；現選3DK，β=50 二極體選用2CK10
雙穩態電路套用
雙穩態開關
雙穩態開關工業用的雙穩態開關的參數就比較多。
