雙柵MOSFET

"雙柵MOSFET(Double 可在第一個柵極G1和漏極D之間起到有效的靜電禁止作用

雙柵MOSFET(Double gate structure MOSFET):

雙柵MOSFET的結構示意圖

雙柵極結構MOS場效應電晶體是MOSFET減小寄生參量、以提高截止頻率的一種結構（見圖示）。它通過第二個柵極G2交流接地, 可在第一個柵極G1和漏極D之間起到有效的靜電禁止作用, 從而使得柵極與漏極之間的反饋電容(是Miller電容)大大減小，則提高了頻率。