簡介
陶瓷拋光是在陶瓷研磨後為進一步提高表面精度，使用軟質彈性或粘彈性的工具和微粉磨料，使工件表面達到鏡面的光潔度，拋光的機理有力學的微小除去：磨料前端的微小切削作用除去表面凹凸 。
性質
流動說(塑性流動、熱流動);化學作用說拋光(研磨)的方法有：
(1)鑽石拋光，用一定粒度及濃度的鑽石磨料，進行機械研磨；
(2)水和拋光，在大於100度的水蒸氣中，杌械性地摩擦試樣與拋光具，引起水和反應,如藍寶石的表面拋光叮用此法；
(3)火焰拋光，表面直熱鬧與高溫火焰或電漿接觸，引起局部融化,在再結晶過程中去除表面缺陷；
(4)機械化學拋光，利用磨料與試樣間發生反應而拋光表面；
(5)濕式化學拋光，在一定溫度，濃度的腐蝕劑中進行腐蝕；
(6)千式化學拋光，如對藍寶石，使純氨氣與3%的SiH，氣體在10Pa的壓力下流通，加熱到1350度以0. 5μm/mm的加工速度除去藍寶石表面；
(7)電解拋光，利用陽極溶解作用，選擇性溶解陽極表面的突出部分，使表面平滑化，此法不適用於絕緣材料 。
原理
電化學拋光也稱電解拋光。電解拋光是以被拋工件為陽極，不溶性金屬為陰極，兩極同時浸入到電解槽中，通以直流電而產生有選擇性的陽極溶解，從而使工件表面光亮度增大，達到鏡面效果。
CMP
CMP技術的概念是1965年由Monsanto首次提出。該技術最初是用於獲取高質量的玻璃表面，如軍用望遠鏡等。1988年IBM開始將CMP技術運用於4MDRAM 的製造中，而自從1991年IBM將CMP成功套用到64MDRAM 的生產中以後，CMP技術在世界各地迅速發展起來。區別於傳統的純機械或純化學的拋光方法，CMP通過化學的和機械的綜合作用，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現高質量的表面拋光 。
