開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。同理,開集電路中的“集”就是指三極體的集電極。開漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。一般的用法是會在漏極外部的電路添加上拉電阻。完整的開漏電路應該由開漏器件和開漏上拉電阻組成。如圖1所示:
組成開漏形式的電路有以下幾個特點:
1. 利用 外部電路的驅動能力,減少IC內部的驅動。當IC內部MOSFET導通時,驅動電流是從外部的VCC流經R pull-up ,MOSFET到GND。IC內部僅需很小的柵極驅動電流。如圖1。
2. 可以將多個開漏輸出的Pin,連線到一條線上。形成 “與邏輯” 關係。如圖1,當PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個變低後,開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C,SMBus等匯流排判斷匯流排占用狀態的原理。
3. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。如圖2, IC的邏輯電平由電源Vcc1決定,而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
4. 開漏Pin不連線外部的上拉電阻,則只能輸出低電平(因此對於經典的51單片機的P0口而言,要想做輸入輸出功能必須加外部上拉電阻,否則無法輸出高電平邏輯)。
5. 標準的開漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路,才能具備雙向輸入、輸出的能力。
套用中需注意:
1. 開漏和開集的原理類似,在許多套用中我們利用開集電路代替開漏電路。例如,某輸入Pin要求由開漏電路驅動。則我們常見的驅動方式是利用一個三極體組成開集電路來驅動它,即方便又節省成本。如圖3。
2. 上拉電阻R pull-up的阻值決定了邏輯電平轉換的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。
需要補充的是,開漏和開集都可以作為驅動輸出控制的開關,但是開漏電路在關閉輸出的情況下會耗電,如圖1所示,Vcc經上拉電阻過漏極到地,上拉電阻大小影響開關回響及驅動能力,如果上拉過小勢必會導致在漏極導通的情況下的電力消耗。圖2所示的開集輸出電路,有同樣的耗電問題。不過集電極驅動輸出還有一種接法,可以解決耗電問題,使用PNP的三極體,發射極接電源,集電極接輸出,基極加一個電阻接開關控制。當然在有些耗電不是問題的情況下開漏也是一個好的選擇,很多處理器的i/o口都帶有開漏功能,這樣,就可以節約一個三極體。
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1. 2. 不連線外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。
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