鋁背場

結製備完成後，往往在矽片的背面即背光面，沉積一層鋁膜，製備P+層，稱為鋁背場。 作用：減少少數載流子在背面複合的機率。 製備方法：最簡單的方法是利用濺射等技術在矽片背面沉積一層鋁膜，然後再800～1000℃熱處理，使鋁膜和矽合金化並內擴散，形成一層高鋁濃度摻雜的P+層，構成鋁背場。

定義：為了改善矽太陽電池的效率，在p-n結制備完成後，往往在矽片的背面即背光面，沉積一層鋁膜，製備P+層，稱為鋁背場。
作用：減少少數載流子在背面複合的機率。也可以作為背面的金屬電極。
製備方法：最簡單的方法是利用濺射等技術在矽片背面沉積一層鋁膜，然後再800～1000℃熱處理，使鋁膜和矽合金化並內擴散，形成一層高鋁濃度摻雜的P+層，構成鋁背場。